时间：2025/9/6 13:22:52
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HG61H25B60 是一款由海尔半导体（Hycon）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等功率电子设备中。该器件采用了先进的沟槽式（Trench）技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和高电流承载能力，适用于各种高功率密度应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：600V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：25A（在25°C）
导通电阻(Rds(on)：典型值为0.25Ω
功率耗散(Pd)：300W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220、TO-247等
HG61H25B60 MOSFET采用先进的Trench工艺制造，具有较低的导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。
该器件的漏源耐压高达600V，适合用于高电压应用场景，如PFC（功率因数校正）电路和高压电源转换器。
其高电流容量（25A）确保了在大功率负载下仍能稳定工作，具备良好的热稳定性和可靠性。
此外，HG61H25B60具有良好的开关特性，开关损耗低，适用于高频开关应用，提高了系统的整体响应速度和效率。
该MOSFET封装形式常见为TO-220或TO-247，便于安装和散热设计，适合工业级应用环境。
内置的体二极管可有效吸收感性负载关断时产生的反向电动势，增强了电路的安全性和稳定性。
HG61H25B60广泛应用于各种功率电子系统中，例如：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关器件，适用于AC-DC转换电路；
2. 电机驱动器和电动工具中的功率控制部分；
3. 太阳能逆变器和储能系统中的DC-DC转换器；
4. 工业自动化设备中的高频电源模块；
5. 电动汽车充电模块、UPS不间断电源等高可靠性设备；
6. LED照明驱动电源和智能家电中的功率控制单元。
HG61H25B60的替代型号包括：STP25N60C5（STMicroelectronics）、FQA25N60C（Fairchild）、TK25A60W（Toshiba）等。
