类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：100V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　漏极电流（Id）：10A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.8Ω（最大值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

HG51D318TE MOSFET 具备一系列高性能特性，使其在各类电子应用中表现出色。首先，它的导通电阻非常低，最大值仅为 1.8Ω，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。低导通电阻还使得该器件在高电流应用中能够保持较低的温度上升，从而增强了系统的热稳定性。
　　其次，该器件的漏极-源极电压（Vds）额定值为 100V，具备较高的耐压能力，适合在高压环境中使用，如 DC-DC 转换器和电源管理系统。栅极-源极电压（Vgs）为 ±20V，这意味着它可以承受较高的驱动电压，确保了栅极控制的稳定性和可靠性。
　　此外，HG51D318TE 的最大漏极电流为 10A，能够在较高负载条件下保持良好的性能。这使得它非常适合用于电机控制、负载开关以及需要高电流能力的电源应用。器件的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，表现出良好的环境适应性，适用于工业级和汽车级应用场合。
　　TO-252（DPAK）封装不仅提供了良好的散热性能，而且支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产，提高制造效率。这种封装形式也使得该器件能够轻松集成到高密度电路板设计中，满足现代电子产品对小型化和高性能的双重需求。

HG51D318TE MOSFET 主要用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用中。它常被用作 DC-DC 转换器中的开关元件，以实现高效的能量转换。在电机控制系统中，该器件可以作为功率开关，用于控制电机的启停和调速。由于其较高的漏极-源极电压（Vds）额定值和较大的漏极电流（Id）能力，它也适用于各种负载开关电路，例如电池供电设备中的电源管理模块。
　　在汽车电子系统中，HG51D318TE 可用于车载充电器、电动助力转向系统、电动窗控制电路等应用。此外，该器件还可用于工业自动化设备、不间断电源（UPS）系统、LED 照明驱动电路以及各种需要高效率功率开关的场合。其 TO-252（DPAK）封装形式特别适合需要表面贴装的高密度 PCB 设计，进一步拓宽了其应用范围。

Si4442DY-T1-GE3, FDD8882, FDS4410, IRFZ44N