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HG28A18615FS 发布时间 时间:2025/9/6 17:20:02 查看 阅读:10

HG28A18615FS是一款由国产厂商设计和生产的高性能功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及工业自动化控制等场景。该器件采用了先进的高压沟槽式技术,具备优异的导通特性和开关性能。HG28A18615FS属于N沟道增强型MOSFET,具备高耐压、大电流能力,适用于高频率开关应用。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(VDS):800V
  栅源电压(VGS):±30V
  连续漏极电流(ID):15A(@TC=100℃)
  脉冲漏极电流(IDM):60A
  导通电阻(RDS(on)):典型值0.55Ω(@VGS=10V)
  工作温度范围:-55℃~150℃
  封装形式:TO-220F

特性

HG28A18615FS具备多项优良的电气特性和物理特性,适合多种工业和消费类电子应用。首先,其高耐压特性(800V VDS)使其适用于高电压输入环境,例如AC/DC电源适配器、开关电源(SMPS)和高压DC-DC转换器。其次,该器件的导通电阻较低,典型值为0.55Ω,这有助于降低导通损耗,提高系统效率。
  此外,HG28A18615FS的连续漏极电流能力为15A,在高负载条件下仍能保持稳定工作。其脉冲漏极电流高达60A,具备良好的瞬态响应能力,适用于需要短时间大电流输出的应用场景,如电机驱动或LED照明系统中的调光控制。
  该MOSFET采用TO-220F封装,具备良好的散热性能,能够在较高功率下保持稳定工作温度。同时,其栅源电压容限为±30V,具备一定的过压保护能力,提高了系统在异常工况下的可靠性。
  最后,HG28A18615FS的工作温度范围为-55℃至150℃,表明其在极端环境条件下仍能稳定运行,适用于工业控制、车载电子、智能家电等多种应用领域。

应用

HG28A18615FS广泛应用于多个领域。在电源管理方面,常用于开关电源(SMPS)、AC/DC适配器、DC-DC转换器等,以提升转换效率和降低系统损耗。在电机控制和驱动电路中,它可用于无刷直流电机、步进电机等控制模块,提供稳定高效的功率输出。
  在工业自动化设备中,HG28A18615FS可用于PLC(可编程逻辑控制器)的输出模块、继电器驱动电路、伺服电机控制等场合。此外,该器件还可用于LED照明驱动电路,实现高效能的调光控制。
  由于其高耐压和良好的热稳定性,HG28A18615FS也适用于新能源领域,如光伏逆变器、储能系统中的功率开关模块等。

替代型号

FQA16N80C、2SK2142、2SK2143、STF15N80

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