HFU5N50S 时间：2025/12/26 23:26:19 阅读：11

HFU5N50S是一款由Hefei芯硕半导体有限公司（Hefei United Silicon Technology Co., Ltd.）推出的高压N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高效率和高可靠性的电力电子系统中。该器件采用先进的平面栅极工艺技术制造，具有低导通电阻、高开关速度以及优良的热稳定性等优点，适用于在高温和高电压环境下稳定工作。HFU5N50S的额定电压为500V，能够承受较高的漏源电压，在设计上优化了雪崩能量耐受能力，增强了器件在瞬态过压情况下的鲁棒性。其封装形式通常为TO-220或TO-220F，具备良好的散热性能，便于安装于散热片上以提升整体系统的热管理能力。由于其优异的电气特性与成本优势，HFU5N50S常被用于替代国际品牌同类产品，在国产化替代进程中具有重要意义。此外，该器件符合RoHS环保要求，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色电子产品制造标准。

参数

型号：HFU5N50S
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压Vds：500V
　　栅源电压Vgs：±30V
　　连续漏极电流Id：5A（@TC=25°C）
　　脉冲漏极电流Idm：20A
　　导通电阻Rds(on)：≤1.8Ω（@Vgs=10V）
　　阈值电压Vgs(th)：2~4V（@Id=250μA）
　　输入电容Ciss：1100pF（@Vds=25V）
　　输出电容Coss：190pF（@Vds=25V）
　　反向恢复时间trr：典型值45ns
　　最大功耗Pd：125W（@TC=25°C）
　　工作结温Tj：-55°C ~ +150°C
　　存储温度Tstg：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220/TO-220F

特性

HFU5N50S采用了先进的平面型栅极结构和场板设计，有效降低了单位面积上的电场集中效应，从而提升了器件的击穿电压稳定性和长期可靠性。该MOSFET在500V高电压应用中表现出色，其低导通电阻特性显著减少了导通状态下的功率损耗，提高了电源系统的整体能效。在动态性能方面，HFU5N50S具有较低的输入和输出电容，使得开关过程中的充放电时间缩短，进而实现更快的开关速度，有助于降低开关损耗，特别适合高频开关电源应用。同时，其栅极电荷Qg较小，意味着驱动电路所需的驱动功率更低，有利于简化驱动设计并提升系统集成度。
　　该器件还具备较强的抗雪崩能力，能够在遭遇电压突变或感性负载关断时吸收一定的能量而不损坏，增强了在实际应用中的安全裕度。此外，HFU5N50S的热阻特性经过优化，结到壳的热阻（Rth(j-c)）较低，配合合适的散热措施可确保长时间满载运行下的温度控制在安全范围内。其阈值电压范围适中，避免了因阈值过低导致误触发的问题，也保证了在正常驱动信号下能够可靠导通。得益于成熟的生产工艺和严格的质量管控，HFU5N50S的一致性和批次稳定性良好，适合大规模自动化生产使用。对于工业级应用而言，它能在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作，适应恶劣环境条件。

应用

HFU5N50S广泛应用于各类中高功率电力电子设备中，尤其适用于需要高效、高耐压开关元件的场合。在开关模式电源（SMPS）中，如AC-DC适配器、离线式反激电源和正激变换器，HFU5N50S作为主开关管可实现高效的能量转换，并因其高耐压能力而无需额外复杂的钳位电路。在DC-DC升压或降压转换器中，该器件可用于硬开关拓扑结构，提供稳定的开关性能和较低的导通损耗。此外，它也被广泛用于LED恒流驱动电源中，特别是在户外照明、工业照明等对可靠性要求较高的场景中表现优异。
　　在电机控制领域，HFU5N50S可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，作为H桥或半桥拓扑中的开关元件，实现精确的速度与方向控制。其快速的开关响应能力和良好的热稳定性使其在频繁启停或负载波动较大的工况下依然保持稳定运行。另外，在逆变器系统中，例如太阳能微逆变器或UPS不间断电源中，HFU5N50S可用于直流侧的斩波或初级逆变环节，承担能量传递和电压调节功能。由于其具备一定的抗雪崩能力，即使在负载突变或短路初期也能提供一定保护作用，延长系统寿命。同时，该器件也适用于电子镇流器、充电器、家电电源模块等消费类和工业类产品中，是实现小型化、高效化电源设计的理想选择之一。