型号：HFU2N90
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（V_DS）：900V
　　最大漏极电流（I_D）：2A
　　连续漏极电流（I_D @ 25°C）：2A
　　脉冲漏极电流（I_DM）：8A
　　最大栅源电压（V_GS）：±30V
　　导通电阻（R_DS(on) max @ V_GS = 10V）：7.5Ω
　　导通电阻（R_DS(on) typ @ V_GS = 10V）：6.5Ω
　　阈值电压（V_GS(th)）：3~5V
　　输入电容（C_iss）：550pF @ V_DS = 25V
　　输出电容（C_oss）：100pF @ V_DS = 25V
　　反向恢复时间（t_rr）：75ns
　　最大功耗（P_D）：50W
　　工作结温范围（T_J）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220/TO-247

HFU2N90具备优异的高压阻断能力和稳定的开关特性，其900V的高漏源击穿电压使其特别适用于高压电源系统，如离线式开关电源和AC-DC转换器。该器件采用了优化的平面技术，在保证高耐压的同时实现了相对较低的导通电阻，从而降低了导通损耗，提升了能效表现。其典型的R_DS(on)为6.5Ω，在同类高压MOSFET中处于较为先进水平，尤其适合中小功率应用中对效率要求较高的设计。
　　该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高达+150°C的结温下安全运行，并配备有可靠的PN结保护机制，防止因过热或过压导致的永久性损坏。器件内部的寄生二极管具有较快的反向恢复特性（t_rr约为75ns），可有效减少在感性负载切换过程中的能量损耗和电压尖峰，提升系统可靠性。此外，HFU2N90的栅极电荷（Q_g）较低，典型值在35nC左右，这意味着它可以用较小的驱动电流实现快速开关，降低驱动电路的设计难度和功耗。
　　在抗雪崩能力和鲁棒性方面，HFU2N90经过严格测试，能够承受一定程度的重复雪崩能量，适用于存在电压瞬变和浪涌冲击的应用环境。其TO-220或TO-247封装提供了优良的散热路径，便于通过散热片进一步增强热管理效果。该器件符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，满足现代电子产品对绿色环保的要求。同时，HFU2N90具有较强的抗电磁干扰能力，能够在噪声较大的工业环境中稳定工作，是高可靠性电源系统的理想选择之一。

HFU2N90广泛应用于多种电力电子系统中，尤其是在需要高电压隔离和高效能量转换的场景中表现突出。常见应用包括但不限于：离线式反激变换器（Flyback Converter），用于电视机、显示器、充电器等设备的开关电源模块；DC-DC升压或降压转换器，在光伏系统和电池供电设备中作为主开关元件；LED恒流驱动电源，特别是在高压LED阵列驱动中提供稳定的开关控制；逆变器系统，如小型太阳能逆变器和UPS不间断电源中用于直流到交流的转换环节。
　　此外，该器件也适用于电机控制电路，例如小功率风扇、泵类设备的调速驱动，利用其快速响应和低导通损耗优势提升控制精度和能效。在工业自动化领域，HFU2N90可用于PLC（可编程逻辑控制器）的输出模块或继电器替代方案，实现无触点开关控制，延长使用寿命并减少维护成本。由于其具备较高的电压裕量，还可用于高压脉冲发生器、电焊机电源、静电除尘设备等特殊工业设备中。在消费类电子产品中，该MOSFET常被用作主开关管，配合PWM控制器实现精确的能量调节。总之，凡涉及中等功率、高电压、高效率开关操作的电子系统，HFU2N90均是一个可靠且经济的选择。

FQP2N90,FJA2N90,STP2N90Z,2N90Z,IRF2N90