时间：2025/7/11 17:32:03
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HFP2N60S是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220封装形式。该器件具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关特性，适用于各种高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用领域。
此款MOSFET以其优异的电气性能著称，能够承受高达600V的漏源极电压，并且在较低的栅极驱动电压下也能实现良好的导通性能。
最大漏源电压：600V
最大栅源电压：±20V
持续漏电流：3.8A
导通电阻（典型值）：5.2Ω
总功耗：10W
工作温度范围：-55℃至+150℃
HFP2N60S具备以下主要特性：
1. 高耐压能力，支持高达600V的漏源电压。
2. 极低的导通电阻，在额定电流条件下能有效减少功率损耗。
3. 快速开关速度，适合高频应用场合。
4. 小型化设计，便于安装于紧凑型电路板上。
5. 具备出色的热稳定性，能够在宽泛的工作温度范围内正常运行。
6. 符合RoHS标准，环保无铅制造工艺。
HFP2N60S广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器的核心元件。
3. 电机驱动电路中的控制开关。
4. 各类负载开关及保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 汽车电子系统中的电源管理部分。
IRF640N
FQP2N60C
STP3NB60Z
