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HFDA801A-VYT 发布时间 时间:2025/5/22 22:56:24 查看 阅读:43

HFDA801A-VYT是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高频开关应用而设计。该器件采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于电源管理、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。
  其封装形式通常为SOT-23,具有小尺寸和高散热性能,能够满足现代电子设备对紧凑型设计的需求。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:2.5A
  导通电阻:75mΩ
  栅极电荷:15nC
  工作温度范围:-55℃至150℃
  封装形式:SOT-23

特性

HFDA801A-VYT的核心优势在于其优异的电气性能和可靠性。首先,它拥有非常低的导通电阻(Rds(on)),仅为75毫欧,这可以显著降低功率损耗并提升效率。
  其次,其快速的开关特性使得它非常适合高频应用场合,栅极电荷较小意味着更少的能量消耗和更快的切换时间。
  此外,该器件的工作温度范围广泛,从-55℃到+150℃,能够在极端环境下稳定运行。
  最后,SOT-23的小型化封装不仅节省了PCB空间,还提供了良好的热传导能力,便于系统散热。

应用

HFDA801A-VYT广泛应用于各类电源管理电路中,例如降压或升压DC-DC转换器、电池充电管理系统、LED驱动电路以及小型电机控制模块。
  在消费类电子产品领域,这款芯片可用于智能手机和平板电脑的电源适配器;在工业自动化方面,它可以作为开关元件参与伺服电机的控制;同时,在汽车电子领域,HFDA801A-VYT也能胜任车载电子设备中的负载切换任务。

替代型号

IRF7404
  FDS8935
  AO3400

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HFDA801A-VYT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1,000 : ¥92.56086散装
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • 类型D 类
  • 输出类型4 通道(四路)
  • 不同负载时最大输出功率 x 通道数80W x 4 @ 4 欧姆
  • 电压 - 供电4.5V ~ 25V
  • 特性-
  • 安装类型表面贴装型
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 供应商器件封装64-LQFP-EP(10x10)
  • 封装/外壳64-LQFP 裸露焊盘