HFC0300GS 是一款由 Hefei Core Semiconductor(合肥核心半导体)推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用先进的沟槽技术,具备低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,能够在较高的开关频率下工作,适用于对效率和散热要求较高的电子系统。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):100A
导通电阻(Rds(on)):3mΩ @ Vgs=10V
功率耗散(Pd):120W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:TO-263(D2PAK)
HFC0300GS 的核心特性在于其极低的导通电阻(Rds(on)),这有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 工艺,优化了电流传导路径,提升了热稳定性。此外,HFC0300GS 还具有良好的雪崩能量承受能力和较高的短路耐受性,使其在高应力应用中表现优异。
其 TO-263 封装形式具有良好的热管理性能,便于安装在 PCB 上并进行散热设计。器件的栅极驱动电压范围较宽,支持常见的 10V 或 12V 驱动电压,兼容多种控制器和驱动 IC。此外,HFC0300GS 具有快速开关特性,适合高频开关电源使用,减少开关损耗。
在可靠性方面,HFC0300GS 通过了严格的工业级测试标准,确保在高温、高湿及高负载条件下仍能稳定运行。该器件符合 RoHS 环保标准,适用于各类绿色电子产品设计。
HFC0300GS 主要用于高性能电源转换系统,包括但不限于同步整流 DC-DC 转换器、电池管理系统(BMS)、电机控制电路、负载开关、电源管理模块以及服务器和通信设备的电源供应系统。其高电流能力和低导通电阻使其成为大功率应用的理想选择,特别是在需要高效率和高可靠性的工业和汽车电子领域。此外,它也适用于高功率密度的电源设计,如用于无人机、工业自动化和嵌入式系统的供电电路中。
SiR340DP-T1-GE3, IPB030N03L G, FDS4410, FDD6680, NVTFS5C471NLWTAG