时间：2025/8/19 8:15:25
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HFC0300GS 是一款由 Hefei Core Semiconductor（合肥核心半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用先进的沟槽技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，能够在较高的开关频率下工作，适用于对效率和散热要求较高的电子系统。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：100A
导通电阻(Rds(on))：3mΩ @ Vgs=10V
功率耗散(Pd)：120W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
HFC0300GS 的核心特性在于其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 工艺，优化了电流传导路径，提升了热稳定性。此外，HFC0300GS 还具有良好的雪崩能量承受能力和较高的短路耐受性，使其在高应力应用中表现优异。
其 TO-263 封装形式具有良好的热管理性能，便于安装在 PCB 上并进行散热设计。器件的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的 10V 或 12V 驱动电压，兼容多种控制器和驱动 IC。此外，HFC0300GS 具有快速开关特性，适合高频开关电源使用，减少开关损耗。
在可靠性方面，HFC0300GS 通过了严格的工业级测试标准，确保在高温、高湿及高负载条件下仍能稳定运行。该器件符合 RoHS 环保标准，适用于各类绿色电子产品设计。
HFC0300GS 主要用于高性能电源转换系统，包括但不限于同步整流 DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）、电机控制电路、负载开关、电源管理模块以及服务器和通信设备的电源供应系统。其高电流能力和低导通电阻使其成为大功率应用的理想选择，特别是在需要高效率和高可靠性的工业和汽车电子领域。此外，它也适用于高功率密度的电源设计，如用于无人机、工业自动化和嵌入式系统的供电电路中。
SiR340DP-T1-GE3, IPB030N03L G, FDS4410, FDD6680, NVTFS5C471NLWTAG
