型号：HFA70NH40
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：400 V
　　最大漏极电流（Id）：70 A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值 0.038 Ω @ Vgs=10V
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：典型值 3.5 V
　　最大功耗（Pd）：200 W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　输入电容（Ciss）：典型值 5600 pF
　　输出电容（Coss）：典型值 1100 pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值 45 ns
　　封装形式：TO-247

HFA70NH40具备卓越的电气性能和可靠性，是高压功率开关应用的理想选择。其核心优势之一在于采用先进的沟槽型MOSFET工艺，这种结构显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效。在实际应用中，这意味着更少的热量产生和更高的系统效率，尤其是在高频开关环境中表现尤为突出。此外，该器件具有非常低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qsw），这直接改善了开关速度，缩短了开通和关断时间，有效抑制了开关过程中的能量浪费。
　　另一个关键特性是其出色的热性能。得益于TO-247封装的大面积金属背板设计，HFA70NH40能够有效地将内部产生的热量传导至散热器，维持较低的结温，避免因过热导致的性能下降或器件失效。这种高效的热管理能力使得它可以在持续高负载条件下稳定运行，适用于长时间工作的工业级设备。同时，该MOSFET具备较强的抗雪崩能力，能够在遭遇电压突波或短路故障时吸收一定的能量而不被破坏，增强了系统的鲁棒性。
　　从驱动角度看，HFA70NH40的栅极阈值电压适中（约3.5V），兼容常见的逻辑电平驱动信号，简化了控制电路设计。其输入电容和输出电容经过优化，在保证足够驱动强度的同时，降低了对驱动源的要求。此外，该器件还表现出优异的dv/dt抗扰度，减少了误触发的风险，提高了系统在电磁干扰环境下的稳定性。综合来看，这些特性使HFA70NH40成为太阳能逆变器、感应加热装置、高压DC-DC转换器等高要求应用场景中的优选器件。

HFA70NH40广泛应用于各类需要高效、高电压开关能力的电力电子系统中。一个主要应用领域是太阳能光伏逆变器，其中该MOSFET用于直流到交流的功率转换环节，凭借其低导通电阻和快速开关特性，能够显著提高逆变效率并减少热损耗，满足清洁能源系统对高能效的严格要求。此外，在不间断电源（UPS）系统中，HFA70NH40常用于DC-AC逆变级和电池充放电控制回路，其高耐压能力和稳定性能确保了在市电中断时仍能提供连续、纯净的交流输出。
　　在工业电机驱动器中，该器件可用于桥式拓扑结构中的开关元件，支持PWM调制方式实现精确的速度与转矩控制。由于其具备良好的热稳定性和抗冲击能力，即使在频繁启停或重载工况下也能保持可靠运行。另外，在高压DC-DC变换器中，如用于通信基站或服务器电源的升压/降压电路，HFA70NH40可作为主开关管使用，提供高效的能量转换路径。
　　其他典型应用还包括感应加热设备、电子镇流器、电动车辆车载充电机（OBC）以及高功率LED驱动电源等。在这些应用中，HFA70NH40不仅能承受高电压应力，还能在高频工作模式下保持低损耗，从而提升系统整体性能。此外，由于其封装形式便于安装散热片，因此非常适合空间受限但散热需求高的紧凑型电源模块设计。总之，HFA70NH40凭借其优异的综合性能，已成为现代电力电子系统中不可或缺的关键元器件之一。

STP70NF40Z
　　IRF740BPBF
　　FQP70N40
　　IXFH70N40