类型：功率MOSFET
　　沟道类型：N沟道
　　最大漏极电流（ID）：90A
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为6.5mΩ（在VGS=10V时）
　　最大功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

HF900GSZ的核心特性之一是其极低的导通电阻，这使得该器件在高电流应用中具有非常低的导通损耗，从而提高整体系统的效率。此外，该MOSFET采用了先进的沟槽型结构设计，使得在保持低导通电阻的同时，还能提供良好的开关性能，适用于高频开关应用。HF900GSZ的栅极驱动电压范围较宽，通常在4.5V至20V之间，支持与多种驱动器的兼容性，确保在不同系统中都能稳定工作。
　　另一个关键特性是其优异的热管理能力，TO-252封装提供了良好的散热性能，能够在高功率工作条件下保持较低的温度上升，从而提高器件的可靠性与寿命。该器件还具有较高的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压条件下提供一定程度的自我保护，适用于需要高可靠性的工业和汽车电子应用。
　　此外，HF900GSZ具备较高的短路耐受能力，在短时间内能够承受较大的电流冲击而不会损坏，这在电机控制和电源转换等应用中尤为重要。其低输入电容（CISS）和快速的开关时间也有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。

HF900GSZ广泛应用于各类高功率电子系统中，特别是在需要高效率、高可靠性的场景下。其主要应用包括但不限于：DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电动工具、电机驱动、工业自动化设备、电源适配器、服务器电源、LED照明驱动以及新能源汽车相关系统。在这些应用中，HF900GSZ能够提供高效的功率转换和稳定的性能表现。

SiHF900GSZ, HY900GZ, FDD900GSZ