时间：2025/8/20 2:41:29
阅读：20
HF900GS-Z 是一款由Hefei Core Semiconductor（合肥核心半导体）制造的高压大电流功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的沟槽式工艺制造，具有较低的导通电阻和快速的开关特性，适用于高效率电源转换系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：900V
漏极电流（ID）：15A（在25°C）
栅极电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：≤0.75Ω（在VGS=10V）
功耗（PD）：150W
封装形式：TO-220
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
HF900GS-Z MOSFET采用了先进的沟槽式结构设计，使得器件在高压工作环境下仍能保持较低的导通损耗和优异的开关性能。其低导通电阻（RDS(on)）可有效降低功率损耗，提高系统效率。该器件还具备较高的热稳定性和可靠性，适用于要求高稳定性和高效率的电源系统。
该MOSFET具备良好的抗雪崩能力和高耐压特性，适合用于高压电源转换、DC-DC变换器、PFC（功率因数校正）电路、逆变器以及各种工业电源设备中。其TO-220封装形式便于安装和散热管理，适合大批量生产和应用。
此外，HF900GS-Z具有较高的栅极驱动兼容性，可与多种驱动电路配合使用，简化设计流程。其±30V的栅极电压耐受能力也增强了器件在高噪声环境下的稳定性，降低了因过压导致损坏的风险。
HF900GS-Z广泛应用于高压电源转换器、开关电源（SMPS）、电机驱动器、PFC电路、逆变器、LED驱动电源、工业自动化设备以及家用电器中的功率控制模块。
HF900GD-Z, HF900GZ-Z, STF9NM65N, FQA16N90C
