时间：2025/8/11 1:40:23
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HF5N60是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率、高频率的开关应用。该器件采用TO-220封装，具有良好的热稳定性和电流承载能力，广泛用于电源转换器、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等场合。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：600V
栅源电压(Vgs)：±30V
漏极电流(Id)：5A（最大值）
导通电阻(Rds(on))：≤2.2Ω（在Vgs=10V时）
工作温度范围：-55℃～+150℃
封装形式：TO-220
HF5N60具备优异的导通性能和开关特性，其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。该MOSFET采用了先进的平面工艺制造，具有较高的可靠性和稳定性，适用于各种高频开关环境。其高耐压能力（600V）使其在高压电源应用中表现出色。
此外，HF5N60的封装形式为TO-220，具有良好的散热性能，能够有效应对高温环境下的工作需求。该器件还具备较强的抗冲击电流能力，可以在短时间内承受超过额定电流的负载，适合用于需要高可靠性的工业设备和电源系统中。
由于其优异的开关特性，HF5N60在电源管理应用中可以实现快速开关，从而减少开关损耗，提高整体能效。同时，该MOSFET的栅极驱动需求较低，能够与常见的驱动电路兼容，简化设计流程，降低系统复杂度。
HF5N60主要应用于各种电力电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器和LED驱动电源等。它也可以用于家电控制电路、工业自动化设备以及车载电源管理系统。由于其高耐压和低导通电阻的特性，特别适合需要高效率和高稳定性的应用场景。
FQP5N60C, STP5NK60Z, IRF5N60A
