时间：2025/7/22 19:35:05
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HF18FF 是一款由 Hefei Core Semiconductor（合肥核心半导体）制造的高性能、低功耗的N沟道增强型功率MOSFET。这款MOSFET采用先进的沟槽技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)），适用于高效率的功率转换和开关应用。HF18FF 封装为TO-220，便于散热和安装，适用于多种工业和消费类电子设备。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：180A（Tc=25℃）
功耗(Pd)：200W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装类型：TO-220
HF18FF 是一款采用先进沟槽技术制造的N沟道增强型MOSFET，具有极低的导通电阻（Rds(on)），典型值为1.8mΩ。这种低导通电阻特性使得器件在高电流应用中能够实现更高的效率和更低的功耗。此外，HF18FF 具有较高的热稳定性和可靠性，适用于高功率密度设计。
该MOSFET的栅极驱动电压范围为±20V，具有良好的栅极绝缘保护，能够防止因过高的栅极电压导致的击穿。同时，其连续漏极电流能力高达180A，适合用于大功率开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等应用。
由于采用TO-220封装，HF18FF 具有良好的散热性能，便于安装在散热片上，确保在高负载条件下也能保持稳定的工作温度。其工作温度范围宽达-55℃至+150℃，适合在各种严苛环境中运行，如工业自动化、电动汽车、太阳能逆变器等。
此外，HF18FF 还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，能够在瞬态过载条件下保持器件的稳定性，提高系统的可靠性和安全性。这些特性使得HF18FF 成为一款适用于多种高功率应用场景的理想选择。
HF18FF 广泛应用于多个高功率电子系统中，特别是在需要高效能和高可靠性的场合。常见的应用包括：
开关电源（SMPS）：用于DC-DC转换器、AC-DC适配器和电源管理模块，提供高效的功率转换。
电机驱动和控制：用于直流电机、步进电机和伺服电机的驱动电路中，实现快速开关和低损耗运行。
负载开关：用于电池管理系统、电源分配单元和智能配电系统中，作为高效能的开关元件。
逆变器和变频器：适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和工业变频器中的功率开关器件。
汽车电子：用于电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）的功率管理系统、车载充电器和DC-DC转换器中。
工业自动化设备：如PLC、工业机器人和自动化控制系统，提供稳定的功率控制。
HF18FA、IRF1405、SiR180DP、FDP180N10A
