HER1008G 时间：2025/12/26 20:32:57 阅读：7

HER1008G是一款高性能的硅基快速恢复整流二极管，广泛应用于开关电源、逆变器、DC-DC转换器等电力电子设备中。该器件采用先进的平面技术制造，具有优良的热稳定性和可靠性，适用于需要高效率和紧凑设计的现代电子系统。HER1008G封装在DO-41或类似的小型轴向封装中，便于在PCB上安装，并具备良好的散热性能。其主要特点包括低正向电压降、高反向耐压以及快速恢复时间，能够有效减少开关损耗并提高整体系统效率。该二极管的设计符合RoHS环保标准，适合无铅焊接工艺，在工业控制、消费类电子产品及通信电源等领域均有广泛应用。由于其出色的电气特性和稳定的批量一致性，HER1008G成为许多工程师在中等功率整流应用中的首选器件之一。

参数

类型：快速恢复整流二极管
　　最大平均整流电流（IF(AV)）：1.0A
　　峰值重复反向电压（VRRM）：1000V
　　非重复峰值正向电流（IFSM）：30A（半波，60Hz）
　　最大正向电压降（VF）：1.1V @ 1.0A
　　最大反向漏电流（IR）：5μA @ 1000V，25°C
　　反向恢复时间（trr）：75ns 典型值
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：DO-41（Axial Lead）
　　冷却方式：自然冷却

特性

HER1008G的核心优势在于其快速恢复能力与高耐压特性的结合，使其非常适合高频开关电源环境下的整流应用。其反向恢复时间（trr）典型值仅为75ns，这一指标显著低于传统整流二极管，有助于大幅降低开关过程中的能量损耗，提升电源转换效率。同时，由于其具有高达1000V的重复反向耐压能力，能够在高压环境下稳定工作，适用于AC-DC适配器、LED驱动电源、光伏逆变器等多种高电压应用场景。
　　该器件在正向导通状态下表现出较低的电压降，典型值为1.1V@1A，这不仅减少了导通期间的功率损耗，还有助于改善系统的热管理设计，允许更紧凑的布局而不会引发过热问题。此外，HER1008G具备较强的浪涌电流承受能力，非重复峰值正向电流可达30A，可在启动或瞬态负载条件下提供可靠的保护作用，避免因瞬间大电流导致的器件损坏。
　　从材料和制造工艺来看，HER1008G采用高质量硅晶圆和平面扩散技术，确保了器件内部PN结的均匀性和稳定性，从而提升了长期运行的可靠性和寿命。其DO-41封装结构坚固，引线采用镀锡铜材，具备良好的可焊性和机械强度，适用于自动插件和回流焊工艺。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，可在极端温度环境下正常运行，满足工业级应用需求。
　　HER1008G还通过了多项国际安全与环保认证，符合RoHS指令要求，支持无铅焊接流程，适应现代绿色制造趋势。在实际应用中，它常被用于桥式整流电路中的高压臂，或作为反激式变换器中的输出整流元件，表现出优异的动态响应和抗干扰能力。综合来看，HER1008G是一款兼顾性能、可靠性和成本效益的理想整流解决方案。

应用

HER1008G主要用于各类中低功率开关模式电源（SMPS），如手机充电器、笔记本电脑适配器、家用电器电源模块等，作为主整流桥或次级侧整流元件使用。它也常见于LED照明驱动电源中，负责将高频交流信号转换为直流输出，保障灯具稳定运行。此外，在小型逆变器、UPS不间断电源、工业控制电源以及电信设备供电单元中，HER1008G因其高耐压和快恢复特性而被广泛采用。其紧凑的DO-41封装特别适合空间受限的应用场景，且易于进行散热设计和批量生产装配。