型号：HEF4011UBT
　　类型：四路2输入NAND门
　　技术系列：CMOS
　　电源电压范围：3 V 至 15 V
　　静态电流：最大100 nA（典型值低于10 nA）
　　传播延迟时间：约70 ns（在10 V电源下）
　　输出驱动能力：±0.5 mA（在10 V时）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装形式：SOT146B-1（相当于DIP-14）
　　输入数量：每个门2个输入
　　逻辑功能：NAND（与非）
　　输入电容：约5 pF
　　功耗：极低静态功耗，典型值为几微瓦
　　上升/下降时间：约30 ns（取决于负载）

HEF4011UBT的核心特性之一是其基于硅栅CMOS工艺制造所带来的极低静态功耗。由于CMOS结构在稳态时几乎不消耗电流，只有在状态切换过程中才会有短暂的导通电流，因此该器件特别适合电池供电或对能耗要求严格的便携式设备。这一特性使得它在长时间运行的控制系统、远程传感器节点以及低功耗嵌入式系统中表现出色。此外，其宽电源电压工作范围（3V至15V）赋予了极大的设计灵活性，允许工程师在不同电压等级的系统中使用同一型号，而无需更换逻辑器件，从而简化了物料管理和电路设计流程。
　　另一个显著特点是高噪声容限，通常可达到电源电压的30%以上，这意味着即使在存在较大电磁干扰的工业环境中，HEF4011UBT也能保持稳定的逻辑判断能力，减少误触发的风险。这对于工厂自动化、电机控制和电源管理等应用场景尤为重要。同时，该芯片具备高输入阻抗（通常大于10^12 Ω），对前级电路的负载影响极小，可以轻松驱动多个此类CMOS器件而不引起信号衰减。
　　HEF4011UBT还具有良好的温度适应性，支持从-55°C到+125°C的宽温操作，远超商业级器件的标准范围，使其可用于航空航天、汽车电子和高温工业设备等极端环境下的数字逻辑处理任务。虽然其输出驱动能力相对较弱（一般为±0.5mA），但在驱动LED、继电器或与其他CMOS器件接口时仍能满足大多数需求。通过外加缓冲器或晶体管放大电路，也可扩展其驱动能力以适应更重的负载。值得注意的是，该器件缺乏内置的ESD保护，因此在装配、测试和维修过程中必须采取严格的防静电措施，如佩戴接地腕带、使用防静电垫等，以防止静电击穿导致永久性损坏。

HEF4011UBT广泛应用于各种需要基础逻辑运算的电子系统中。在数字电路教学实验中，它是学习基本逻辑门功能、构建组合逻辑电路的理想选择，常被用于演示与非门如何构成其他逻辑函数（如反相器、与门、或门等）。在实际工程中，该芯片可用于构建简单的控制逻辑单元，例如自动灯光控制、按键去抖动电路、报警触发机制以及顺序控制逻辑。由于其NAND门具备通用性（即任何布尔函数都可以仅用NAND门实现），HEF4011UBT也被用于原型开发阶段快速搭建复杂逻辑网络，验证系统行为后再转为专用ASIC或CPLD实现。
　　在消费类电子产品中，HEF4011UBT常见于老式音响设备、家用电器控制板、玩具电子模块以及定时器电路中，执行诸如信号选通、状态锁存或条件判断等功能。在工业控制领域，它可以用于PLC扩展模块、传感器信号调理电路或继电器驱动逻辑，配合其他模拟或数字器件完成自动化任务。此外，由于其耐高温特性，该芯片也适用于汽车电子中的辅助照明控制、车窗升降逻辑判断或故障诊断指示电路。在通信设备中，HEF4011UBT可用于数据流的简单门控、帧同步检测或地址译码前级处理。尽管现代高速系统更多采用74HC或FPGA方案，但在对速度要求不高、强调稳定性和成本效益的场合，HEF4011UBT依然是可靠的选择。

CD4011BE
　　MC14011BCP
　　TC4011AP(TOHOKU)
　　UPC2011NE
　　NJM4011