HE8550L-D-T92-K 是一款高性能的 N 沣道晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等电力电子领域。该器件采用先进的 MOSFET 技术制造,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。其封装形式为 TO-220,适合高功率密度的应用场景。
该型号属于增强型 NMOS 场效应晶体管,能够在高频条件下保持较低的功耗,同时提供稳定的电流输出能力。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:42A
脉冲漏极电流:120A
导通电阻(典型值):3.5mΩ
栅极电荷:75nC
反向恢复时间:45ns
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-220
HE8550L-D-T92-K 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻,有助于降低传导损耗,提升整体效率。
2. 快速开关特性,支持高频应用,减少开关损耗。
3. 高额定电流和电压,适用于多种工业及汽车级应用。
4. 良好的热稳定性,确保在极端温度条件下的可靠性。
5. 封装坚固耐用,能够承受较大的机械应力和散热需求。
6. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电路设计中。
该晶体管主要应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流和主开关。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换模块。
4. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
5. 汽车电子系统中的 DC/DC 转换和电池管理单元。
6. 各种需要高效功率传输和快速响应的场景。
HE8550L-D-T92-J, IRF840, FDP5500