型号：HE8550 ECB
　　封装形式：ECB（类似SOP-7或DIP-7）
　　集成MOSFET耐压：650V
　　最大输出功率：约30W（典型应用）
　　工作频率范围：40kHz ~ 115kHz（变频QR控制）
　　启动电压：约16V
　　工作电压范围：10V ~ 22V
　　电流检测阈值：典型1.0V（带前沿消隐）
　　待机功耗：< 75mW（满足六级能效）
　　过温保护：有，带迟滞恢复
　　过压保护：OVP、VDD箝位保护
　　短路保护：具备多模式保护机制
　　驱动能力：栅极驱动输出峰值电流约0.5A
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　结温：最高150°C

HE8550 ECB在性能与可靠性方面表现出色，其核心优势之一是采用了先进的准谐振控制技术，能够实时追踪MOSFET漏源电压的谷底点进行导通，从而大幅降低开关损耗，提高转换效率，尤其是在中高负载条件下表现优异。这种控制方式还减少了电压应力和电磁干扰，使得系统更容易通过EMI认证测试。芯片内部集成的高压启动模块可在交流输入后快速为VDD电容充电，实现快速启动，且无需外部启动电阻，进一步节省元件数量和PCB空间。为了应对不同负载条件下的效率挑战，HE8550 ECB具备多模式运行能力，包括满载时的QR模式、中等负载的固定频率PWM模式以及轻载/空载时的突发模式（Burst Mode）。在突发模式下，控制器以极低的开关频率间歇工作，有效抑制音频噪声并降低待机能耗，满足严苛的节能规范。
　　在保护机制方面，HE8550 ECB集成了全面的安全功能，涵盖逐周期电流限制、过功率保护（OPP）、输出过压保护（OVP）、反馈开路保护、过温保护（OTP）以及VDD过压箝位等。这些保护措施不仅提升了电源系统的鲁棒性，还能在异常工况下及时关闭输出，防止器件损坏。值得一提的是，该芯片具备良好的抗干扰能力，内置前沿消隐电路（Leading Edge Blanking, LEB），可有效滤除电流采样信号中的尖峰干扰，避免误触发保护。此外，它还采用了频率抖动技术（Frequency Jittering），将开关频率在一定范围内随机调制，分散能量分布，从而降低传导和辐射EMI，有助于简化EMI滤波电路设计，降低系统成本。总体而言，HE8550 ECB凭借其高集成度、高效能和高可靠性，成为中小功率开关电源设计中的理想选择。

HE8550 ECB广泛应用于各类中小功率离线式开关电源中，尤其适合对效率、体积和成本有较高要求的产品。典型应用场景包括手机、平板电脑及其他便携设备的AC-DC充电器，特别是5V/1A至5V/3A范围内的USB充电适配器。此外，它也常用于智能家居设备的辅助电源，如智能音箱、路由器、摄像头、门铃等产品的内置电源模块。在白色家电领域，HE8550 ECB可用于微波炉、洗衣机、空调等设备的控制板供电部分，提供稳定可靠的低压直流电源。由于其具备良好的动态响应和负载调整率，也可用于LED照明驱动电源，尤其是非隔离型或小功率隔离型LED灯带、球泡灯等产品。工业类应用方面，该芯片适用于小型继电器电源、传感器供电模块以及工业控制面板的小功率DC电源单元。得益于其低待机功耗特性，HE8550 ECB特别符合现代电子产品对绿色节能的要求，广泛满足欧盟ErP指令、美国Energy Star以及中国能效标识等国际和地区能效标准。其简洁的外围电路设计也便于工程师快速完成产品开发与认证，缩短上市周期。

HLK-PM01
　　BP8550
　　OB2273