HDSPA151 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高功率、高频MOSFET晶体管,专为射频(RF)功率放大应用而设计。该器件基于硅基横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术制造,适用于无线通信基础设施、广播设备以及工业应用中的射频放大器。HDSPA151能够在1.8 GHz至2.7 GHz频率范围内高效运行,提供高增益、高效率和出色的热稳定性。
类型:LDMOS RF功率晶体管
频率范围:1.8 GHz - 2.7 GHz
输出功率:典型值150 W(CW)
增益:20 dB(典型值)
漏极效率:约65%(典型值)
工作电压:+28 V
输入驻波比(VSWR):2.5:1(最大)
封装类型:ABP-7(金属陶瓷封装)
HDSPA151具有多项优异的电气和物理特性,使其在射频功率放大应用中表现卓越。
首先,该器件采用先进的LDMOS技术,提供高线性度和高效率,能够在高频段(1.8 GHz至2.7 GHz)范围内稳定工作。其典型输出功率可达150 W连续波(CW)模式,适用于蜂窝通信基站、WiMAX、DVB-T广播发射机等应用场景。
其次,HDSPA151具备高增益特性,典型增益为20 dB,这意味着输入信号无需经过多级放大即可达到所需的输出功率水平,从而简化系统设计、降低成本并提高整体可靠性。
此外,该器件在+28 V电源供电下运行,具有良好的热稳定性和耐用性。其ABP-7封装形式具备优良的散热性能,可有效降低结温,延长使用寿命。
最后,该晶体管的输入驻波比(VSWR)最大为2.5:1,表现出良好的阻抗匹配能力,有助于减少信号反射并提高系统稳定性。
HDSPA151主要用于高频射频功率放大器的设计,广泛应用于各类无线通信系统和广播设备中。
在无线通信领域,该器件适用于2G、3G和4G LTE基站的射频功率放大器模块,尤其是在频段2(1.9 GHz)和频段7(2.6 GHz)中表现优异。由于其高效率和高线性度,HDSPA151也被广泛用于WiMAX和专网通信系统中的功率放大电路。
在广播领域,HDSPA151可用于数字视频广播(DVB-T)和调频广播(FM)发射机中的射频放大器,提供高稳定性和长寿命的信号放大能力。
此外,该器件还适用于测试设备、工业加热设备和医疗成像系统中的射频功率放大应用,满足多种高可靠性需求。
STP150N28F3AG, AFT05HP150S