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HDSP-H5G1 发布时间 时间:2025/9/23 18:03:48 查看 阅读:51

HDSP-H5G1是Broadcom(博通)公司推出的一款高性能数字光隔离器(Digital Isolator),广泛应用于需要电气隔离的工业、通信和医疗电子系统中。该器件采用先进的CMOS技术与片上变压器隔离技术相结合,能够在高速数据传输的同时提供可靠的电气隔离保护,防止接地环路、噪声干扰以及高电压对敏感电路造成的损害。HDSP-H5G1属于Broadcom HDSP系列光隔离器产品线,虽然其命名中包含“H5G”,但实际上并非传统意义上的光耦合器(optocoupler),而是基于磁耦技术的高性能数字隔离器,具有更快的响应速度、更长的使用寿命和更高的可靠性。该芯片通常用于隔离SPI、I2C、UART等数字接口,在电机控制、工业PLC、电源管理系统、医疗设备及可再生能源系统中均有广泛应用。HDSP-H5G1支持单通道或双通道配置(具体取决于封装型号),具备高抗噪能力、低传播延迟和精确的脉冲宽度特性,确保了在复杂电磁环境下的稳定运行。此外,该器件符合国际安全标准,如UL、VDE和CSA,提供高达5000 VRMS的隔离电压,适用于要求严苛的工业级应用环境。

参数

型号:HDSP-H5G1
  通道数:1
  数据速率:最高可达150 Mbps
  隔离电压:5000 VRMS(1分钟,按UL 1577标准)
  工作电压范围:3.0V 至 5.5V(VCC)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  传播延迟:典型值 8 ns
  脉冲宽度失真:典型值 < 5 ns
  共模瞬态抗扰度(CMTI):±100 kV/μs
  封装类型:SOIC-8(DIP-8兼容)
  安全认证:UL 1577、IEC 60747-5-2、VDE 0884-10(增强型隔离)

特性

HDSP-H5G1具备卓越的电气隔离性能和高速信号传输能力,是现代工业和通信系统中实现安全隔离的关键元件之一。其核心优势在于采用了Broadcom专利的硅基隔离技术(即磁耦隔离),通过集成在芯片上的高频变压器实现信号跨隔离屏障的传输,相比传统光电耦合器,避免了LED老化、温度漂移和速度受限等问题,从而显著提升了长期稳定性和可靠性。该器件支持高达150 Mbps的数据速率,能够满足高速数字接口的隔离需求,例如在隔离式ADC驱动、数字电源反馈回路和FPGA通信中表现出色。同时,其低传播延迟和极小的脉冲宽度失真保证了时序精度,特别适合用于PWM信号隔离和编码器反馈等对时间敏感的应用场景。
  另一个关键特性是其强大的抗干扰能力。HDSP-H5G1具备高达±100 kV/μs的共模瞬态抗扰度(CMTI),意味着即使在剧烈变化的共模电压环境下(如变频器或逆变器中常见的高dv/dt干扰),也能保持数据传输的完整性,防止误触发或信号丢失。此外,该器件的工作电压范围宽(3.0V–5.5V),可与多种逻辑电平系统兼容,包括3.3V和5V微控制器、DSP和FPGA。其SOIC-8封装形式不仅节省PCB空间,还便于手工焊接和自动化生产,且引脚布局兼容传统DIP-8光耦,方便用户进行升级替换。整体功耗较低,有助于提升系统能效,尤其适用于对热管理有严格要求的设计。

应用

HDSP-H5G1广泛应用于需要高可靠性电气隔离的各种工业和电子系统中。在工业自动化领域,常用于PLC输入/输出模块、现场总线隔离、电机驱动控制和传感器接口隔离,以防止高压窜入控制侧造成损坏。在电源系统中,它被用于隔离DC-DC转换器的反馈信号、数字电源中的PWM控制信号以及服务器和电信电源的监控接口。在可再生能源系统如太阳能逆变器和风力发电控制系统中,HDSP-H5G1用于隔离电网侧与控制侧之间的通信信号,确保操作人员和设备的安全。此外,在医疗电子设备中,由于其符合严格的绝缘安全标准,可用于病人连接设备的信号隔离,满足IEC 60601等医疗安全规范。在测试与测量仪器、数据采集系统和隔离式ADC/DAC接口中,该器件也发挥着重要作用,保障高精度信号传输不受地电位差影响。总之,凡是在存在高电压、强电磁干扰或需要功能隔离的场合,HDSP-H5G1都是一种理想的选择。

替代型号

SI8601BB-B-IP
  ISO7710
  ADM3150E

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HDSP-H5G1参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格5,250 : ¥6.03006散装
  • 系列-
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • 显示格式-
  • 字符数1
  • 大小 / 尺寸0.693" 高 x 0.488" 宽 x 0.272" 直径(17.60mm x 12.40mm x 6.90mm)
  • 数字/字母大小0.52"(13.21mm)
  • 显示类型7 段
  • 通用引脚共阳极
  • 颜色绿色
  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值)2V
  • 电流 - 测试20mA
  • 毫烛光等级15mcd
  • 波长 - 峰值570nm
  • 功率耗散(最大值)52mW
  • 封装/外壳10-DIP(0.600",15.24mm)