时间：2025/5/30 12:00:53
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12065A200GA12A 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于开关电源、电机驱动和负载开关等场景。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，能够显著提升系统的效率和可靠性。
这款器件属于 N 沟道增强型 MOSFET，适用于需要高效能和高可靠性的电子设备中。
型号：12065A200GA12A
类型：N 沟道 MOSFET
封装：TO-252 (DPAK)
最大漏源电压（Vds）：200 V
最大栅源电压（Vgs）：±20 V
最大连续漏电流（Id）：12 A
导通电阻（Rds(on)）：0.18 Ω（典型值，Vgs=10V时）
功耗：30 W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
栅极电荷（Qg）：25 nC
反向恢复时间（trr）：45 ns
12065A200GA12A 具有以下特点：
1. 极低的导通电阻，可有效降低功率损耗。
2. 高开关速度，适合高频应用环境。
3. 热稳定性强，能够在极端温度范围内正常运行。
4. 提供出色的电气特性和保护功能，确保系统长期稳定运行。
5. 封装形式紧凑，易于集成到各种电路设计中。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
12065A200GA12A 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率转换。
2. 电机驱动器中的控制与保护。
3. 各种工业自动化设备中的负载开关。
4. 太阳能逆变器和储能系统中的关键组件。
5. 电动汽车及混合动力汽车中的电池管理系统。
6. LED 驱动器和其他高效能电子设备中。
12065A200GA12B, IRFZ44N, FDP5570
