内核架构：R8C/Tiny
　　位数：8位
　　最大频率：20 MHz
　　Flash容量：16 KB
　　RAM容量：1 KB
　　ADC分辨率：10位
　　ADC通道数：8
　　定时器：3通道16位定时器
　　串行接口：SCI ×1
　　I/O引脚数：32
　　封装形式：48引脚SSOP
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　电源电压：2.7V ~ 5.5V

HD63B21PR具备丰富的片上外设资源，能够满足多种嵌入式应用的需求。其核心特性包括高效的R8C/Tiny内核，支持高速指令执行，最大运行频率可达20 MHz。芯片内置16 KB的Flash存储器和1 KB的SRAM，支持在线编程和数据存储功能，适用于需要频繁更新程序或存储数据的应用场景。
　　HD63B21PR集成了一组10位精度的模数转换器（ADC），共8个输入通道，可用于采集模拟信号并转换为数字信号进行处理，适用于传感器数据采集、温度监控、电压监测等应用。该芯片还配备了3个16位定时器模块，支持PWM输出、输入捕捉和输出比较功能，广泛应用于电机控制、灯光调节和定时操作等场景。
　　在通信接口方面，HD63B21PR提供了一个标准的串行通信接口（SCI），支持异步串行通信，可用于与其他微控制器或外围设备进行数据交换，适用于RS-232通信、蓝牙模块连接、GPS模块通信等应用场景。
　　此外，HD63B21PR采用了低功耗CMOS工艺制造，支持多种低功耗模式（如等待模式、停止模式），可有效降低系统功耗，延长电池供电设备的使用时间。其工作电压范围为2.7V至5.5V，适应性强，可在多种电源环境下稳定工作。

HD63B21PR广泛应用于需要中等性能和丰富外设的嵌入式系统中，例如工业自动化控制设备、智能家电、汽车电子模块、测量仪器和便携式设备等。具体应用包括但不限于电机控制、温度控制系统、智能仪表、传感器节点、家用电器控制面板等。

HD63B21PR的替代型号包括R5F212BNJDD、R5F212BNDLP#V0以及HD63B21PRTC等。这些型号在封装、功能和性能上与HD63B21PR相近，可根据具体应用需求进行选择。