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HD61104R 发布时间 时间:2025/9/7 7:22:39 查看 阅读:38

HD61104R 是一款由 Renesas(原日立)制造的 CMOS 静态随机存取存储器(SRAM)控制器芯片,常用于嵌入式系统和早期的工业控制设备中。该芯片主要功能是提供对 SRAM 或 ROM 存储器的读写控制逻辑,支持异步访问模式,适用于低速到中速存储器系统的管理。HD61104R 通常用于需要扩展存储器接口的场合,例如在微控制器或微处理器系统中作为存储器接口控制器。

参数

工作电压:5V
  封装类型:DIP(双列直插式封装)或 PLCC(塑料有引线芯片载体)
  最大工作频率:10MHz(典型值)
  输入/输出电压范围:0V 至 Vcc
  工作温度范围:0°C 至 70°C(商业级)
  数据总线宽度:8位
  地址总线宽度:12位
  支持的存储器类型:SRAM、ROM、EPROM
  读写控制信号输出:2组
  片选信号:2个可编程片选
  封装引脚数:44引脚(常见)

特性

HD61104R 作为一款静态存储器控制器,具备多种实用特性。它支持对异步存储器(如SRAM、ROM和EPROM)的访问控制,并提供灵活的地址解码功能,可以连接多达12位地址线,支持4KB的地址空间。芯片内部集成了可编程的等待状态发生器,允许用户根据外部存储器的速度调整访问时间,确保数据稳定读写。
  此外,HD61104R 提供两个独立的写控制信号(/WE1 和 /WE2)和两个读控制信号(/OE1 和 /OE2),便于连接多个存储器设备。它还具有两个片选信号(/CS1 和 /CS2),可根据地址范围选择不同的存储器模块。这种灵活性使得该芯片适用于多种嵌入式系统和工业控制设备。
  其异步控制逻辑可以适应不同的存储器响应时间,同时允许用户通过外部引脚配置等待状态的数量,以提高系统的兼容性和稳定性。HD61104R 的工作电压为标准5V,符合TTL电平兼容要求,便于与早期的微处理器或控制器配合使用。

应用

HD61104R 常见于需要扩展存储器接口的嵌入式控制系统中,例如工业控制设备、老式计算机主板、测试仪器和数据采集系统。在微处理器系统中,它可以作为存储器控制器,负责管理外部SRAM或ROM的读写操作,特别是在使用低速或中速存储器时提供必要的时序控制。此外,HD61104R 也用于一些需要灵活存储器映射和多存储器分区的场合,例如需要多个片选信号来控制不同存储模块的应用场景。

替代型号

HD61104RFP、HD61104RPE、HD61104RP

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