型号：CED11P20
　　类型：P沟道MOSFET
　　封装：TO-252 (D-Pak)
　　极性：P沟道
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-11A
　　脉冲漏极电流（IDM）：-36A
　　导通电阻 RDS(on)：40mΩ @ VGS = -10V
　　导通电阻 RDS(on)：50mΩ @ VGS = -4.5V
　　阈值电压（VGS(th)）：-1.0V ~ -2.5V
　　输入电容（Ciss）：920pF @ VDS=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　热阻结到外壳（RθJC）：1.7 °C/W
　　热阻结到环境（RθJA）：50 °C/W
　　功率耗散（PD）：50W

CED11P20采用先进的平面工艺制造，具备优异的电气性能和热稳定性。其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效，特别适用于对功耗敏感的应用场景，如移动设备和便携式电源系统。在VGS = -10V时，RDS(on)仅为40mΩ，而在更常见的逻辑电平驱动条件（如-4.5V）下仍保持在50mΩ以内，表明该器件能够在低电压控制信号下高效工作，兼容大多数微控制器输出电平。
　　该MOSFET具有快速的开关响应能力，得益于其较小的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss约为920pF），使得在高频开关应用中（如同步整流和DC-DC转换器）能够减少开关损耗，提升系统效率。此外，其阈值电压范围（-1.0V至-2.5V）适中，确保了在不同工作条件下可靠开启与关断，避免误触发或导通不完全的问题。
　　热性能方面，CED11P20的热阻结到外壳仅为1.7°C/W，结合TO-252封装良好的散热设计，可在高负载条件下有效传导热量，延长器件寿命。其最大工作结温高达+150°C，具备较强的环境适应能力。器件还内置了一定程度的ESD保护，提升了在装配和运行过程中的鲁棒性。此外，TO-252封装支持表面贴装技术，适用于自动化生产流程，有助于提高生产效率和产品一致性。这些综合特性使CED11P20成为中小功率P沟道MOSFET应用中的优选器件。

CED11P20广泛应用于各类需要高效功率开关控制的电子系统中。典型应用包括同步降压变换器中的高边或低边开关，尤其在P沟道用于高边驱动的简单配置中，因其无需额外的自举电路而受到青睐。它也常用于DC-DC电源模块、电池供电设备的电源管理单元、便携式消费电子产品（如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机）的负载开关或电源通断控制。
　　在电机驱动电路中，CED11P20可用于小型直流电机的方向控制或启停开关，凭借其高电流承载能力和快速响应特性，确保控制精准。此外，该器件适用于过流保护电路、热插拔控制器以及逆变器中的开关元件，在工业控制、通信设备和汽车电子辅助系统中均有应用实例。
　　由于其具备良好的热稳定性和可靠性，CED11P20也可用于LED驱动电源、USB电源开关、充电管理电路等对安全性和效率要求较高的场合。在嵌入式系统中，常被用作电压反向保护或防止电池反接的电子开关，利用其P沟道特性实现自动导通与切断。总之，任何需要低电压驱动、高效率、小尺寸封装的P沟道功率开关场景，都是CED11P20的理想应用领域。

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　　 "SI2301,DMG2301U,FDD8858,CED11P20S"
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