HCNW2601是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)推出的高性能光耦合器芯片,属于高速光耦系列,广泛用于数字隔离和电平转换应用。该器件采用8引脚DIP封装,内部由一个红外发光二极管(LED)和一个高速光电探测器组成。HCNW2601特别适用于需要高抗噪能力和高隔离电压的工业控制、电源管理和通信系统中。该芯片符合安全标准UL1577和CSA,并提供高达5000Vrms的隔离电压,能够有效隔离高压电路与低压电路,保障系统和人员安全。
型号: HCNW2601
封装类型: 8引脚DIP
隔离电压: 5000 Vrms
正向电流(IF): 60 mA
反向电压(VR): 3 V
集电极-发射极电压(VCEO): 30 V
工作温度范围: -55°C 至 +100°C
存储温度范围: -65°C 至 +150°C
最大功耗: 150 mW
传输速率: 10 Mbps
电流传输比(CTR): 100% @ IF=10 mA, VCE=5V
响应时间(tPHL/tPLH): 1.5 μs / 1.5 μs
HCNW2601具有多项优良特性,使其成为工业控制和电源管理应用中的首选光耦器件。首先,其高速传输速率可达10 Mbps,适用于高速数字信号隔离。该芯片的电流传输比(CTR)在IF=10 mA、VCE=5V时可达100%,确保信号传输的高稳定性和低失真。
其次,HCNW2601提供高达5000 Vrms的电气隔离电压,符合UL1577和CSA标准,适用于需要高安全性隔离的场合。其封装采用DIP形式,便于插装和焊接,适用于自动化生产和传统PCB组装。
此外,该器件具有良好的抗电磁干扰(EMI)性能,能够在复杂电磁环境中稳定工作。其工作温度范围为-55°C至+100°C,适合在各种恶劣环境下使用,如工业现场、汽车电子和电力系统。
最后,HCNW2601的功耗较低,最大功耗为150 mW,有助于提高系统能效并减少散热需求。综合这些特性,HCNW2601是一款性能稳定、应用广泛的高速光耦合器芯片。
HCNW2601广泛应用于需要信号隔离和电平转换的电子系统中。其典型应用包括工业自动化控制系统中的PLC(可编程逻辑控制器)和I/O模块,用于隔离传感器和执行器之间的数字信号,防止高压干扰和噪声影响控制精度。
在电源管理系统中,HCNW2601常用于隔离DC-DC转换器、UPS(不间断电源)和开关电源中的控制电路与功率电路,确保系统安全和稳定运行。
此外,该芯片还适用于通信设备中的信号隔离,如RS-485通信接口、以太网交换设备和光模块,能够有效防止地电位差导致的通信干扰。
HCNW2601也常用于电机控制、逆变器、电焊机等大功率设备中,实现控制信号与高压电路之间的安全隔离。由于其良好的抗干扰能力和宽工作温度范围,该芯片也可用于汽车电子系统,如电动汽车的电池管理系统(BMS)和车载充电器。
HCPL-2601, 6N137, LTV-847, TLP2361