类型：双开关二极管
　　封装类型：SOT-23
　　最大正向电流：100 mA
　　最大反向电压：75 V
　　正向压降：1.25 V（最大值）
　　反向漏电流：100 nA（最大值）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 150°C
　　结电容：5 pF（典型值）
　　最大功耗：300 mW
　　封装规格：SOT-23-3

HBAV99XLT1G 是一款高性能双二极管芯片，其主要特性包括优异的开关速度、低正向压降以及良好的热稳定性。该器件由两个独立的开关二极管组成，能够在高频条件下稳定工作，适用于射频（RF）和高速数字电路中的信号处理。每个二极管都具有75V的反向耐压能力，能够承受一定的电压波动，从而提高电路的可靠性。
　　该器件的正向压降在1.25V以下，降低了功耗并提高了能效，特别适合用于电池供电设备。其SOT-23封装形式体积小巧，便于表面贴装，提高了PCB布局的灵活性。此外，HBAV99XLT1G 具有良好的温度特性，在-55°C至+150°C的温度范围内均可稳定工作，适用于工业级和汽车电子应用。
　　该二极管的结电容较低（典型值为5pF），使其在高频应用中具有更小的寄生效应，有助于保持信号完整性。反向漏电流控制在100nA以内，降低了静态功耗，提高了电路的稳定性。

HBAV99XLT1G 主要用于需要快速开关和低功耗的应用场合。其常见应用包括：
　　? 高频开关电路中的信号切换
　　? 电压钳位与保护电路
　　? 逻辑门电路中的隔离二极管
　　? 便携式设备中的电池保护电路
　　? 汽车电子中的信号处理单元
　　? 通信设备中的RF信号路径控制
　　? 工业控制系统中的隔离与整流电路

1N4148WS, BB115, BAS70-04