晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Pd）：300 mW
　　最大工作温度：150°C
　　电流增益（hFE）：110-800（根据具体等级）
　　过渡频率（fT）：100 MHz
　　封装类型：SOT-23

HBAT540CTR1G是一款通用型NPN晶体管，具有优异的性能特性和广泛的应用适应性。其主要特性之一是良好的电流放大能力，hFE值在不同等级下可以达到110至800，这使得它能够适应各种放大电路的需求。此外，该晶体管的过渡频率（fT）为100 MHz，表明其在高频应用中表现良好，适合用于射频和高速开关电路。
　　这款晶体管的最大集电极电流为100 mA，最大集电极-发射极电压为30 V，能够在较为严苛的电压和电流条件下稳定工作。它的SOT-23封装设计使得晶体管体积小巧，适合用于高密度PCB布局，并且具备良好的热稳定性和可靠性。
　　HBAT540CTR1G的另一个重要特性是其低饱和电压（VCE(sat)），这使得晶体管在开关应用中能够减少功率损耗，提高整体效率。同时，它的基极-发射极电压（VBE）相对较低，有助于降低驱动电路的复杂性，提高电路的响应速度。
　　由于该晶体管的性能稳定、封装小巧和广泛适用性，HBAT540CTR1G被广泛用于各种电子设备，包括音频放大器、数字开关电路、传感器接口以及便携式电子产品。

HBAT540CTR1G因其优异的性能和广泛的工作范围，被广泛应用于多种电子电路中。在信号放大电路中，它常用于前置放大器、音频放大器以及射频放大模块，能够有效增强弱信号的强度。在数字电路中，HBAT540CTR1G作为开关元件，广泛用于驱动继电器、LED显示屏和小型电机等负载设备。
　　此外，该晶体管还被用于传感器接口电路，如温度传感器、光敏传感器和压力传感器等，能够将传感器的微弱信号进行放大处理，便于后续电路的采集和分析。由于其高频特性，HBAT540CTR1G也适用于无线通信模块、无线遥控装置和低噪声放大电路。
　　在消费类电子产品中，HBAT540CTR1G常用于电源管理电路、电池充电控制电路以及逻辑电平转换电路。它的低饱和电压和快速响应特性使其在电源开关和负载控制方面表现出色。同时，该晶体管的小型SOT-23封装也适合便携式设备的设计需求。

MMBT5401LT1G
　　2N5401
　　PMBT5401N