型号：HAT2114RJ-EL
　　类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-2.7A（@TA=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-8.1A
　　导通电阻RDS(ON)：59mΩ（@VGS=-4.5V）
　　导通电阻RDS(ON)：75mΩ（@VGS=-2.5V）
　　栅极阈值电压（Vth）：-0.8V ~ -1.4V
　　输入电容（Ciss）：330pF（@VDS=-10V）
　　关断时间（toff）：17ns
　　开启时间（ton）：11ns
　　反向恢复时间（trr）：无
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SC-70（SOT-765）
　　引脚数：6

HAT2114RJ-EL具备出色的电气性能和高集成度，特别适合在紧凑型便携设备中作为高效开关元件使用。其P沟道结构允许在高端开关配置中实现简单且可靠的电源控制，无需复杂的自举电路或电荷泵驱动方案，从而降低了系统设计复杂性与成本。器件在VGS=-4.5V时典型RDS(ON)仅为59mΩ，在低电压应用场景下显著降低了导通损耗，提升了能效表现。即使在VGS=-2.5V的较低驱动电压下，RDS(ON)仍保持在75mΩ以内，展现出优异的逻辑电平驱动兼容性，适用于现代低压微控制器直接驱动需求。
　　该MOSFET采用先进的沟槽式工艺制造，优化了载流子迁移路径，提高了单位面积的导电能力，同时有效抑制了寄生效应，增强了开关速度与稳定性。其输入电容Ciss仅为330pF，减小了栅极驱动所需的能量，有利于降低动态功耗，尤其在高频开关操作中优势明显。由于是P沟道器件，它在关断状态下可有效阻断电流流动，具备良好的截止特性，漏电流极低，满足待机模式下的节能要求。
　　封装方面，SC-70（SOT-765）是一种超小型6引脚表面贴装封装，占用PCB面积非常小，非常适合高密度布局的移动终端产品。该封装还具备良好的散热性能，通过PCB焊盘可实现有效的热传导，帮助器件在较高负载条件下维持安全的工作温度。HAT2114RJ-EL经过严格的质量认证，符合AEC-Q101车规级可靠性标准，表明其不仅可用于消费类电子，也可应用于汽车电子等严苛环境中。
　　此外，该器件具有较强的抗静电能力（ESD保护），增强了在生产和组装过程中的鲁棒性。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）确保了在极端环境条件下的稳定运行，适应性强。总体而言，HAT2114RJ-EL是一款集高性能、小尺寸、低功耗和高可靠性于一体的P沟道MOSFET，是现代便携式电子系统中理想的电源管理解决方案之一。

HAT2114RJ-EL广泛应用于各类需要高效、小型化电源开关的电子设备中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的负载开关，如智能手机和平板电脑中的LCD背光电源控制、摄像头模块供电管理、Wi-Fi/蓝牙模组的上电时序控制等。由于其支持低电压逻辑驱动，常被用于与微控制器或电源管理IC配合，实现对不同功能模块的独立供电与断电，以达到节能目的。在电池供电系统中，该器件可用于电池端的充放电通路控制，防止反向电流或过载情况发生，提升系统安全性。
　　此外，HAT2114RJ-EL也适用于各类手持医疗设备、智能手表、TWS耳机等可穿戴设备中的电源切换电路，利用其低导通电阻和小封装优势，在有限空间内实现高效的功率传输与管理。在工业自动化领域，该MOSFET可用于传感器模块的电源启停控制，延长设备待机时间。同时，其快速开关响应能力使其适合用于信号路径切换、音频线路选择器或模拟开关电路中，尤其是在需要低失真和低噪声的场合。
　　在汽车电子应用中，尽管主要定位为消费级器件，但由于其符合AEC-Q101标准，也可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统的辅助电源管理单元。此外，HAT2114RJ-EL还可作为ORing二极管的理想替代方案，用于双电源冗余系统中，避免传统肖特基二极管带来的正向压降损耗，从而提高系统效率。总之，该器件凭借其优良的性能指标和高度集成的设计，已成为众多低功耗、高密度电子系统中不可或缺的关键元器件。

HMTP2114RJ-EL
　　DMG2114UFG-7
　　FDC6314P