类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：20V
　　连续漏极电流（Id）：10A
　　导通电阻（Rds(on)）：8.0mΩ（最大值）
　　功率耗散：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOP

HAT2080T-EL 具有以下显著特性：首先，它采用了先进的沟槽式MOSFET技术，确保了较低的导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了整体效率。此外，该器件的高栅极电压容限（最大20V）增强了其在不同工作条件下的稳定性和可靠性。
　　其次，HAT2080T-EL 的SOP封装设计使其适用于高密度PCB布局，节省空间，非常适合用于便携式设备和嵌入式系统。该器件还具备良好的热管理能力，可以在较高电流下稳定运行。
　　另外，HAT2080T-EL 在汽车电子应用中表现出色，符合AEC-Q101标准，适用于车载充电系统、电机驱动器和电源转换模块。其高耐用性和在恶劣环境下的稳定性也使其成为工业控制和自动化设备的首选器件。
　　从电气特性来看，HAT2080T-EL 具有快速的开关速度，有助于减少开关损耗，提高电源系统的整体效率。同时，其低阈值电压（通常在1.5V~2.5V之间）使得与逻辑电路的接口更加简便。

HAT2080T-EL 主要用于以下应用领域：首先是汽车电子系统，包括车载充电器、电动助力转向系统、电池管理系统和DC-DC转换器。其次，在工业控制领域，它常用于电机驱动器、PLC电源管理模块和自动化设备中的功率开关。此外，该器件也广泛应用于消费类电子产品，如笔记本电脑、智能电源适配器和高效率电源管理模块。由于其出色的热性能和高可靠性，HAT2080T-EL 也适用于需要长时间运行的电源系统，如服务器电源和通信设备的功率管理模块。

Si2302DS, FDS6680, IRF7413, FDV303N