CBTD3306D,112是一款由Nexperia(安世半导体)制造的双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该晶体管设计用于高频率和中等功率的应用场景,例如射频(RF)放大、开关电路和电源管理。CBTD3306D,112具有较高的最大集电极电流和快速的开关特性,适用于工业控制、消费类电子产品以及通信设备。
晶体管类型:NPN
最大集电极电流(Ic):100mA
最大集电极-发射极电压(Vce):30V
最大集电极-基极电压(Vcb):30V
最大功耗(Ptot):300mW
最大工作频率(fT):250MHz
封装类型:SOT-323(SC-70)
安装类型:表面贴装(SMD)
CBTD3306D,112晶体管具备出色的高频性能,使其适用于射频放大器和高速开关电路。
其低饱和电压和快速响应时间确保了在开关应用中更高的效率和更低的功耗。
该晶体管还具有良好的热稳定性和过载能力,可在恶劣环境下稳定工作。
采用小型SOT-323封装,节省PCB空间并支持高密度布局。
此外,CBTD3306D,112的制造工艺确保了良好的一致性和可靠性,适用于大批量生产和自动化组装。
CBTD3306D,112广泛用于需要中等功率和高频率性能的电路中,例如无线通信模块、射频前端电路、传感器接口电路、音频放大器前置级、数字逻辑电路的开关控制以及嵌入式系统中的信号处理部分。
此外,它还常见于工业自动化设备、消费类电子产品(如智能手机、可穿戴设备)以及汽车电子中的信号放大与转换电路。
BC847N, 2N3904, PN2222A