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HAT2054M-EL 发布时间 时间:2025/9/7 11:24:45 查看 阅读:32

HAT2054M-EL 是由 Renesas(瑞萨电子)生产的一款高性能、低导通电阻的双通道N沟道功率MOSFET,采用TSSOP封装。该器件专为负载开关、电源管理以及需要高效能、小型化设计的应用场合而设计。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):20V
  栅源电压(Vgs):±12V
  连续漏极电流(Id):4A(每个通道)
  导通电阻(Rds(on)):42mΩ(最大值,Vgs=4.5V)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装形式:TSSOP-8

特性

HAT2054M-EL 具有非常低的导通电阻(Rds(on)),确保在高电流负载下仍能保持较低的功率损耗,提高系统效率。
  该器件采用了双通道设计,可在同一封装中实现两个独立的MOSFET开关,适用于需要多路控制的电源管理系统。
  其TSSOP封装形式不仅节省空间,而且适合高密度PCB布局,满足现代电子设备对小型化和高性能的双重需求。
  此外,HAT2054M-EL 支持宽温度范围(-40°C 至 +125°C),具备良好的热稳定性和可靠性,适用于工业级和汽车电子等对环境要求较高的应用场景。
  内置的栅极保护电路增强了器件的抗静电能力,提升了在实际使用中的鲁棒性。

应用

HAT2054M-EL 常用于便携式电子设备的电源管理模块,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等,用于控制电池供电路径或外设供电。
  也可用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、LED背光控制以及各种工业自动化设备中的功率开关应用。
  由于其优异的热性能和小尺寸封装,非常适合用于空间受限且需要高效能的电路设计中。

替代型号

Si2302DS, AO4406A, FDS6675, BSS138K

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