HAT2042T-EL 时间：2025/9/7 12:36:16 阅读：12

HAT2042T-EL是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，适用于各种高功率开关应用。该器件采用小型表面贴装封装（SOP），具有低导通电阻、高耐压和快速开关特性，广泛用于DC-DC转换器、负载开关和电源管理系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：6.3A
　　导通电阻（Rds(on)）：27mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOP Advance

特性

HAT2042T-EL具有多项出色的电气性能和结构设计优势。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为27毫欧，能够在高电流条件下保持较低的功率损耗，从而提升整体系统效率。该MOSFET的漏源耐压（Vds）为30V，适合中等功率应用，同时其栅源耐压（Vgs）可达±20V，提高了器件在高噪声环境下的可靠性。
　　此外，HAT2042T-EL采用东芝先进的U-MOS VI技术制造，具备卓越的开关特性，包括快速开启和关闭时间，有助于降低开关损耗。该器件的封装设计（SOP Advance）不仅体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用，还具备良好的散热性能，确保在高负载条件下稳定运行。
　　值得一提的是，HAT2042T-EL还具有较高的热稳定性，能够在极端温度环境下正常工作，适用于工业级和汽车电子应用。其内部结构优化，降低了寄生电容和电感，进一步提升了高频开关性能。

应用

HAT2042T-EL主要应用于各类功率电子设备中，包括DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、电源管理单元（PMU）以及各类便携式电子设备的电源控制电路。由于其出色的开关性能和低导通电阻，它也广泛用于汽车电子系统，如车载充电器、LED照明驱动和电子控制单元（ECU）等场景。