时间：2025/9/7 17:50:07
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HAT1038RJ-EL 是由瑞萨电子（Renesas Electronics）生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件专为高效率、高功率密度的应用设计，适用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关以及电池管理系统等场景。HAT1038RJ-EL 采用紧凑型PowerSSO-10封装，具备优异的热性能和电气性能，适合在高电流、高频率的开关应用中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：20A（VGS=10V）
导通电阻（RDS(on)）：8.5mΩ（典型值，VGS=10V）
阈值电压（VGS(th)）：1.3V ~ 2.3V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：PowerSSO-10
HAT1038RJ-EL 具备低导通电阻，有助于降低导通损耗并提高能效。其PowerSSO-10封装设计提供了良好的热管理和高功率密度，适合在空间受限的应用中使用。
该MOSFET具备高栅极耐压能力（±20V），增强了器件在高频开关应用中的可靠性。此外，它具有低栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗，提高系统效率。
该器件符合RoHS环保标准，并具备高耐用性和长期稳定性，适合在工业级和汽车电子应用中使用。HAT1038RJ-EL 还具有快速开关特性和低反向恢复电荷（Qrr），适用于高频率开关电路的设计。
HAT1038RJ-EL 主要应用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及工业电源系统。其高效率和紧凑封装也使其适用于便携式电子设备和电动汽车相关电源管理系统。
SiR1000DG-T1-GE3, FDS6680, AO4407A, IPD90N03S4-03
