类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压(Vdss)：30V
　　最大漏极电流(Id)：120A
　　导通电阻(Rdson)：4.7mΩ（典型值）
　　栅极电荷(Qg)：65nC
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：双排DFN（HAT1038R）、带散热焊盘的DFN（HAT1038RJ）

HAT1038R/HAT1038RJ MOSFET 采用先进的沟槽式结构，具有极低的导通电阻，从而显著降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，该器件具备高电流承载能力和良好的热稳定性，能够在高负载条件下可靠运行。
　　其封装设计（HAT1038R为标准DFN，HAT1038RJ带有散热焊盘）提供了良好的散热性能，有助于在高功率应用中维持较低的工作温度，延长器件寿命。此外，该系列MOSFET具备较高的雪崩耐受能力，增强了在瞬态过压情况下的稳定性与可靠性。
　　栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，提高开关频率下的性能表现。因此，HAT1038R/HAT1038RJ 非常适用于高频DC-DC转换器、同步整流、电机驱动、负载开关以及电池供电设备中的电源管理模块。
　　该器件还具备良好的短路耐受能力，能够在瞬态过载情况下保持稳定运行，从而提高系统的整体鲁棒性。

HAT1038R/HAT1038RJ MOSFET 主要应用于高性能电源管理系统，如服务器电源、电信设备电源、电池管理系统（BMS）、便携式电子设备、DC-DC转换器、同步整流电路、负载开关、电机驱动器和电源管理IC（PMIC）等。
　　在服务器和通信设备中，该器件用于高效能DC-DC转换器，以满足高电流输出和低损耗的要求。在电池管理系统中，它被用于电池充放电控制、电池保护电路和负载开关，以确保系统的稳定性和安全性。
　　此外，HAT1038R/HAT1038RJ 也广泛用于高功率密度的电机驱动系统，如无人机、机器人和电动工具中，以实现高效、紧凑的设计。在汽车电子领域，该器件可应用于车载充电系统、车载信息娱乐系统（IVI）和高级驾驶辅助系统（ADAS）等模块。

SiSS128LNT,TNT4412R,SiSS138LNT