HA179L08U-TL是一款高性能的MOSFET功率晶体管,主要应用于开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等领域。该器件采用了先进的制造工艺,在保证低导通电阻的同时,也具有较低的栅极电荷,从而提高了效率和性能。
该型号属于N沟道增强型MOSFET,能够在高频应用中提供优异的表现。其封装形式为TO-252(DPAK),这种封装方式不仅便于焊接安装,还能够有效提升散热性能。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:33A
导通电阻(典型值):4mΩ
栅极电荷:25nC
总功耗:100W
工作温度范围:-55℃ to 175℃
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提高系统效率。
2. 较小的栅极电荷,适合高频开关应用。
3. 高电流承载能力,确保在大负载条件下稳定运行。
4. 良好的热性能,适应更广泛的工作环境。
5. 符合RoHS标准,环保且可靠。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器的核心开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 电池保护与管理系统中的电子开关。
5. 各类工业设备及消费电子产品中的功率管理模块。
IRFZ44N, FDP5500, STP36NF06L