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HA125-R82MT 发布时间 时间:2025/12/28 1:25:15 查看 阅读:16

HA125-R82MT是一款由Vishay Semiconductor生产的表面贴装肖特基势垒二极管,采用SMA(DO-214AC)封装。该器件专为高频开关电源应用而设计,具有低正向电压降和快速开关特性,适用于高效能电源转换系统。其主要特点包括高浪涌电流能力和优良的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作。HA125-R82MT的命名中,“HA”通常代表产品系列,“125”表示最大反向重复峰值电压为125V,“R”可能表示特定的电气特性或批次标识,“82”对应于8.2kΩ的集成电阻(如有集成),但在此型号中更可能是编码的一部分;“MT”则表示其包装形式为卷带(Tape and Reel),适合自动化贴片生产。该器件广泛应用于DC-DC转换器、逆变器、续流二极管以及极性保护电路中。由于其紧凑的表面贴装封装,HA125-R82MT非常适合空间受限的高密度PCB布局设计。此外,该器件符合RoHS指令要求,无铅且环保,适用于现代绿色电子产品制造流程。

参数

类型:肖特基势垒二极管
  封装/外壳:SMA(DO-214AC)
  配置:单个
  最大直流反向电压(V_R):125V
  最大平均整流电流(I_O):1.5A
  峰值正向浪涌电流(I FSM):30A(8.3ms单半波)
  最大正向电压降(V_F):0.95V @ 1.5A, 25°C
  最大反向漏电流(I_R):200μA @ 125V, 125°C
  工作结温范围(T_J):-65°C 至 +125°C
  热阻(R_θJA):约70°C/W
  安装类型:表面贴装
  引脚数:2
  湿度敏感等级(MSL):1(260°C)
  反向恢复时间(t_rr):典型值<10ns
  极性:阴极条标记

特性

HA125-R82MT具备优异的电气性能和可靠性,适用于多种电源管理场景。其核心优势之一是低正向导通压降,在1.5A电流下典型值仅为0.95V,显著降低了导通损耗,从而提高了整体系统的能效。这对于电池供电设备或追求高效率的开关电源尤为重要。该器件采用肖特基势垒结构,不存在少子存储效应,因此具有极快的开关速度,反向恢复时间极短(通常小于10ns),有效减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰(EMI),提升了高频工作的稳定性。
  另一个关键特性是其高达125V的最大反向电压能力,使其适用于中等电压级别的电源转换应用,如12V、24V或48V系统中的续流或防反接保护。同时,器件可承受高达30A的峰值浪涌电流(非重复性),表现出良好的瞬态过载能力,增强了系统在启动或负载突变情况下的鲁棒性。热设计方面,SMA封装提供了较好的散热性能,配合合理的PCB布局(如大面积铜箔连接),可以有效降低热阻,确保长期运行的可靠性。
  HA125-R82MT的工作结温范围宽达-65°C至+125°C,适应严苛环境条件下的使用需求,例如工业控制、汽车电子或户外设备。器件符合J-STD-020标准的回流焊要求,支持无铅焊接工艺,兼容现代自动化生产线。此外,其封装带有明显的阴极标识(通常为色带或缺口),便于正确安装并避免极性错误。整体而言,HA125-R82MT结合了高性能、小尺寸与高可靠性,是替代传统快恢复二极管的理想选择,在提升功率密度的同时保障系统稳定性。

应用

HA125-R82MT广泛用于各类需要高效整流与快速响应的电子电路中。常见应用场景包括AC-DC和DC-DC开关电源中的输出整流环节,尤其是在反激式、升压(Boost)或降压(Buck)拓扑结构中作为主整流或续流二极管使用。由于其低V_F特性,特别适合用于低压大电流输出的电源模块,以减少功耗并提高效率。
  在光伏逆变器和LED驱动电源中,该器件可用于防止反向电流流动,保护主控电路不受损坏。在电机驱动和H桥电路中,HA125-R82MT常被用作续流(钳位)二极管,吸收感性负载断开时产生的反电动势,防止电压尖峰击穿MOSFET或IGBT等功率开关元件。
  此外,它也适用于电池充电管理系统、便携式电子设备电源适配器、UPS不间断电源以及各类消费类电子产品中的极性反接保护电路。在通信设备和服务器电源单元中,因其高可靠性和紧凑封装,成为实现高功率密度设计的关键组件之一。工业自动化控制系统、智能电表、安防监控设备等对长期运行稳定性要求较高的领域也是其典型应用方向。

替代型号

MBR140-M3/H
  1N5819WS-13-F
  SS14-SMT
  SBM104ALT3G
  BAT54C-WT

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