H9TQ64A8JTMCUR-KUM 是一款由SK Hynix(海力士)公司生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于移动型LPDDR4 SDRAM(低功耗双倍数据速率第四代同步动态随机存取存储器)系列。该芯片专为移动设备和高性能计算应用设计,具备低功耗、高带宽和高密度存储的特性。H9TQ64A8JTMCUR-KUM 采用BGA(球栅阵列)封装,适用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统和便携式电子产品等应用场景。
容量:8GB (64Gb)
类型:LPDDR4 SDRAM
封装:BGA
电压:1.1V / 1.8V
数据速率:3200Mbps
接口:x64
工作温度:-40°C 至 +85°C
时钟频率:1600MHz
数据预取:2n预取
H9TQ64A8JTMCUR-KUM 是一款高性能的LPDDR4 SDRAM芯片,具备多项先进特性。首先,其64位数据总线宽度支持高带宽传输,能够满足高分辨率显示、多任务处理和复杂计算任务的需求。其次,该芯片采用低电压设计,主电压为1.1V,辅助电压为1.8V,显著降低了功耗,延长了设备的电池续航时间。此外,H9TQ64A8JTMCUR-KUM 支持多种低功耗模式,包括自刷新、深度掉电模式和时钟停止模式,适用于不同使用场景下的节能需求。
在性能方面,H9TQ64A8JTMCUR-KUM 支持高达3200Mbps的数据速率和1600MHz的时钟频率,能够提供每秒超过25GB的带宽,这对于图形处理、AI加速和高性能计算应用至关重要。其2n预取架构提高了数据传输效率,同时支持突发长度(BL)调整功能,以优化不同应用场景下的数据访问效率。此外,该芯片内置温度传感器,可实时监测芯片温度并自动调整刷新速率,确保数据稳定性和可靠性。
H9TQ64A8JTMCUR-KUM 主要用于需要高性能和低功耗内存的移动和嵌入式设备。典型应用包括高端智能手机、平板电脑、便携式游戏机、车载信息娱乐系统(IVI)、工业计算机和嵌入式AI加速器。由于其高带宽和低功耗特性,该芯片特别适用于需要大量数据处理和实时计算的应用场景,如机器学习推理、计算机视觉、增强现实(AR)和虚拟现实(VR)设备等。此外,在物联网(IoT)和边缘计算领域,H9TQ64A8JTMCUR-KUM 可为智能设备提供高效稳定的内存支持。
H9TQ64A8JUMCWR-8AT, H9HKNNDBPMMDAR-KUM