型号：X201620MLD4SI
　　制造商：Vishay Siliconix
　　器件类型：P沟道MOSFET
　　封装/外壳：SC-70 (SOT-323)
　　通道数：单通道
　　漏源电压(VDS)：-20V
　　栅源电压(VGS)：±8V
　　连续漏极电流(ID)：-1.8A（在TC=25°C下）
　　脉冲漏极电流(IDM)：-4.5A
　　导通电阻(RDS(on))：40mΩ @ VGS = -4.5V；50mΩ @ VGS = -2.5V
　　阈值电压(VGS(th))：-0.45V ~ -1.0V
　　输入电容(Ciss)：290pF @ VDS=10V
　　栅极电荷(Qg)：3.4nC @ VGS=4.5V
　　反向恢复时间(trr)：16ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　热阻结到环境(θJA)：350°C/W
　　热阻结到外壳(θJC)：100°C/W

X201620MLD4SI采用Vishay专有的TrenchFET?技术，这种先进的沟道结构显著提升了载流子迁移率，从而实现了极低的导通电阻RDS(on)，即使在低栅极驱动电压下也能保持出色的导通性能。该器件的RDS(on)最大值仅为50mΩ（在VGS=-2.5V时），使其非常适合用于需要高效能量传输的应用场景，如电池供电设备中的电源开关或负载切换。由于采用了优化的芯片布局和封装设计，该MOSFET具有较低的寄生电感和电阻，有助于减少开关过程中的振铃现象和电磁干扰，提升系统的稳定性与可靠性。
　　该器件的栅极阈值电压范围为-0.45V至-1.0V，确保在低电压逻辑信号下仍能可靠开启，兼容3.3V、2.5V甚至更低电压的控制电路。这对于现代低功耗微控制器直接驱动MOSFET非常有利，无需额外的电平转换电路即可实现精确的开关控制。同时，其较小的输入电容（Ciss=290pF）和总栅极电荷（Qg=3.4nC）有效降低了驱动损耗，提高了高频开关应用下的能效表现。
　　PowerPAK? SC-70封装不仅体积小巧（典型尺寸约2.0mm x 1.25mm），还具备优良的散热性能，能够在有限的空间内有效传导热量。尽管其热阻结到环境高达350°C/W，但在合理布局PCB并增加铜箔面积的情况下，仍可实现良好的热管理。此外，该封装支持回流焊工艺，适合自动化贴片生产，提升了制造效率和产品一致性。器件符合AEC-Q101汽车级可靠性标准的部分要求，虽非完全车规认证，但仍可在工业级严苛环境中稳定运行。
　　内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr=16ns），减少了在同步整流或感性负载切换过程中产生的反向电流尖峰，有助于抑制电压过冲和功率损耗。这一特性对于DC-DC变换器等高频开关电源尤为重要。综合来看，X201620MLD4SI凭借其低RDS(on)、小封装、高集成度和良好开关特性，成为众多高密度电源管理方案的理想选择。

X201620MLD4SI广泛应用于各类便携式消费类电子产品中，尤其是在对空间和能效有严格要求的设计场景下表现出色。它常被用作电池供电设备中的负载开关，例如智能手机和平板电脑中的LCD背光控制、摄像头模块供电管理以及外设电源启停控制。在这些应用中，该MOSFET能够以极低的导通损耗切断闲置模块的电源，从而延长电池续航时间。
　　在电源管理系统中，该器件可用于构建高效的低压DC-DC降压或升压转换器的同步整流部分，替代传统的肖特基二极管，大幅降低导通压降和发热，提升整体转换效率。特别是在轻载和中等负载条件下，其低阈值电压和快速开关能力有助于实现更高的能效比。
　　此外，X201620MLD4SI也适用于各种保护电路，如反向极性保护、过流保护和热插拔控制电路。由于其P沟道结构，易于实现高端开关配置，在电源路径控制中无需复杂的电荷泵电路即可完成高边驱动，简化了系统设计复杂度。
　　在工业传感器、物联网终端节点、无线耳机、智能手表等微型化设备中，该MOSFET凭借其微型封装和可靠性能，成为实现紧凑型电源架构的关键元件。同时，它也可用于电机驱动、LED驱动和USB端口电源管理等多种模拟与数字混合信号系统中，提供灵活而高效的功率控制解决方案。

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　　 "Si2301DS",
　　 "AO3401A",
　　 "FDMC7668",
　　 "TPC2105"
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