时间：2025/5/7 9:04:38
阅读：7
H9TQ64A8GTBCUR-KUM 是由 SK hynix 生产的 NAND 闪存芯片，采用 TLC（Triple-Level Cell）技术。该芯片主要应用于需要大容量存储和高性能数据传输的场合，例如固态硬盘（SSD）、嵌入式存储设备和其他消费类电子产品中。其设计注重高密度存储与低功耗特性，适合对存储成本敏感的大规模数据存储应用。
容量：64GB
接口类型：Toggle DDR 3.0
工作电压：1.8V
封装形式：TSOP
存储单元类型：TLC
页大小：16KB
区块大小：2048页
擦写周期：约 1000 次
数据保留时间：1年（在 30°C 条件下）
读取速度：高达 533 MT/s
写入速度：高达 533 MT/s
H9TQ64A8GTBCUR-KUM 芯片具备高密度存储能力，同时支持高速数据传输协议 Toggle DDR 3.0，确保了高效的性能表现。
该芯片采用 TLC 技术，能够在每个存储单元内保存 3 位数据，从而显著提高存储密度并降低每单位容量的成本。
其 TSOP 封装形式使其易于集成到各种嵌入式系统中，同时保持较低的功耗水平，适用于移动设备或对能效要求较高的场景。
此外，该芯片具有良好的可靠性和稳定性，即使经过多次擦写循环后仍能保持较高的数据完整性。
H9TQ64A8GTBCUR-KUM 主要用于消费级和工业级存储产品中，包括但不限于：
1. 固态硬盘（SSD）
2. 嵌入式存储模块（如 eMMC 和 UFS）
3. 内存卡（SD 卡、MicroSD 卡等）
4. 监控录像存储设备
5. 工业控制设备中的数据记录功能
6. 智能家居和物联网设备中的本地存储需求
