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H9TQ17ADFTBCUR-KUM 发布时间 时间:2025/9/1 19:39:12 查看 阅读:17

H9TQ17ADFTBCUR-KUM 是一款由SK Hynix(海力士)生产的高密度、低功耗的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,主要用于需要大容量内存和高性能的嵌入式系统和移动设备中。该型号属于LPDDR4(低功耗双倍数据速率第4代)系列,具有高速数据传输能力和节能特性。

参数

容量:2GB(Gigabytes)
  类型:LPDDR4 SDRAM
  数据速率:3200Mbps(兆比特每秒)
  电压:1.1V
  封装类型:BGA(球栅阵列封装)
  封装尺寸:100-ball FBGA
  工作温度:-40°C至+85°C

特性

H9TQ17ADFTBCUR-KUM 具备多项先进的性能和设计特点,使其成为高端移动设备和嵌入式系统的理想选择。其主要特性包括:
  ? 高容量存储:2GB的容量为现代应用提供了充足的数据处理空间,适合多任务处理和大文件存储。
  ? 高速数据传输:3200Mbps的数据速率能够满足高性能计算和实时数据处理的需求,提升系统响应速度。
  ? 低功耗设计:1.1V的工作电压显著降低了功耗,延长了设备的电池续航时间,特别适合移动设备和嵌入式系统。
  ? 小型封装:采用100-ball FBGA封装,体积小巧,节省PCB空间,适合高密度电路设计。
  ? 宽工作温度范围:支持-40°C至+85°C的工作温度范围,确保了在各种环境条件下的稳定运行。
  ? 高可靠性:经过严格测试,确保在复杂环境下的稳定性和耐用性,适用于工业级应用。

应用

H9TQ17ADFTBCUR-KUM 广泛应用于各种高性能嵌入式系统和移动设备,如智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器、智能穿戴设备、工业控制设备和车载电子系统。其高速、低功耗和高容量的特性使其在需要快速数据处理和高效能的场景中表现出色。例如,在智能手机中,该芯片能够提供流畅的多任务处理能力,提升用户体验;在工业控制设备中,其高可靠性和宽工作温度范围确保了设备在恶劣环境下的稳定运行。

替代型号

H9HKNNNCTMMURR-NM, H9TQ17ABFTBCUR-KUM

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