制造商：SK Hynix
　　产品类型：DRAM
　　内存类型：LPDDR4
　　内存容量：8Gb
　　数据速率：3200Mbps
　　电压：1.1V
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：153
　　工作温度：-40°C 至 85°C
　　尺寸：9.0mm x 11.5mm x 0.8mm
　　存储架构：x16

H9TQ17A8GTACUR-KUM 采用LPDDR4技术，具备出色的低功耗性能，适用于需要长时间运行的移动设备。其3200Mbps的数据速率确保了快速的数据传输能力，能够满足高性能处理器和图形加速器的需求。该芯片的工作电压为1.1V，相比前代LPDDR3内存，功耗显著降低，有助于延长设备的电池续航时间。此外，该DRAM芯片采用了先进的x16架构，提高了内存的带宽效率，使得数据访问更为迅速和稳定。
　　该芯片的封装形式为153引脚的FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array），不仅节省空间，还提供了良好的散热性能，适合高密度PCB布局。工作温度范围为-40°C至85°C，确保了在各种环境条件下都能稳定运行。H9TQ17A8GTACUR-KUM还支持多种低功耗模式，如深度掉电模式和自刷新模式，进一步优化了系统的能效。其高可靠性和稳定性使其成为高端移动设备和嵌入式系统的理想选择。

H9TQ17A8GTACUR-KUM 主要应用于高性能移动设备，如旗舰级智能手机和平板电脑，作为主内存用于支持操作系统、应用程序和图形处理的高效运行。此外，该芯片也广泛用于嵌入式系统、工业控制设备、汽车电子系统以及便携式消费电子产品。由于其低功耗与高数据传输速率的特性，特别适用于需要实时数据处理和多任务操作的应用场景，如高清视频播放、3D图形渲染、AI计算加速等。在汽车电子领域，该芯片可用于车载信息娱乐系统（IVI）、高级驾驶辅助系统（ADAS）以及智能座舱等对内存性能要求较高的系统。

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