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H9TP32A4GDMCPR-KDM 发布时间 时间:2025/9/2 11:00:44 查看 阅读:9

H9TP32A4GDMCPR-KDM 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于LPDDR4(低功耗双倍数据速率第4代)系列。这款存储器芯片专为高带宽和低功耗应用而设计,适用于高端智能手机、平板电脑、嵌入式系统以及其他需要高性能内存的设备。H9TP32A4GDMCPR-KDM 的容量为4GB(Gigabytes),采用PoP(Package on Package)封装技术,便于在紧凑的空间中实现高密度的内存集成。

参数

容量:4GB
  类型:LPDDR4 SDRAM
  封装类型:PoP(Package on Package)
  电压:1.1V(核心电压VDD),1.8V(I/O电压VDDQ)
  数据速率:3200 Mbps(Megabits per second)
  数据总线宽度:32位
  时钟频率:1600 MHz
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装尺寸:根据具体封装形式而定,通常为9x11mm或类似尺寸

特性

H9TP32A4GDMCPR-KDM 是一款高性能、低功耗的DRAM芯片,具有以下关键特性:
  ? 高数据速率:支持高达3200 Mbps的数据传输速率,提供出色的内存带宽,适用于需要高性能计算和图形处理的应用。
  ? 低功耗设计:LPDDR4标准优化了能耗,使其适用于电池供电设备,有助于延长设备续航时间。
  ? PoP封装技术:采用Package on Package封装方式,允许将应用处理器与内存芯片堆叠在一起,节省PCB空间,简化电路布局。
  ? 高密度存储:4GB的存储容量满足现代移动设备和嵌入式系统对大容量内存的需求。
  ? 高稳定性与可靠性:在宽温范围内(-40°C至+85°C)稳定工作,适合各种严苛的运行环境。
  ? 支持多银行架构:LPDDR4内存支持多银行组(Multi-Bank Groups)架构,提高并发访问效率,减少延迟。
  ? 自动刷新与温度补偿:具备自动刷新功能,并可根据温度变化调整刷新率,进一步优化功耗和稳定性。

应用

H9TP32A4GDMCPR-KDM 主要用于对性能和功耗有较高要求的电子设备,包括:
  ? 智能手机和平板电脑:作为主内存使用,提供高带宽支持,满足复杂应用程序和图形处理的需求。
  ? 嵌入式系统:适用于工业控制、车载系统、智能穿戴设备等需要高性能、低功耗内存的场景。
  ? 高端移动计算设备:如二合一笔记本、平板电脑和移动工作站。
  ? 网络和通信设备:用于基站、路由器、交换机等设备的缓存和临时数据存储。
  ? 多媒体设备:如4K/8K电视、智能机顶盒、游戏主机等,支持高分辨率视频解码与处理。

替代型号

H9TP32A4GDMCPR-NEC, H9TP64A8JDMCPR-KGM

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