时间：2025/9/1 17:50:22
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H9TP26ABLDMCNR 是一款由SK海力士（SK Hynix）制造的高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于移动DRAM类别，专为低功耗和高性能应用设计，常见于智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备中。该器件采用BGA（球栅阵列）封装，具备紧凑的尺寸和优异的热管理性能，适合高密度主板设计。
型号: H9TP26ABLDMCNR
容量: 2GB (16Gb)
类型: LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4)
数据速率: 3200 Mbps
电压: 1.1V / 1.8V
封装类型: BGA
封装尺寸: 100-ball
工作温度: -40°C 至 +85°C
组织结构: x16
H9TP26ABLDMCNR 具备多项先进的技术特性，确保其在高性能和低功耗应用中的卓越表现。
首先，该芯片基于LPDDR4标准，提供了高达3200 Mbps的数据传输速率，显著提升了内存带宽，适用于要求苛刻的移动设备和嵌入式系统。其双电压供电设计（1.1V 用于核心电压，1.8V 用于I/O）有助于降低整体功耗，延长电池寿命。
其次，该DRAM芯片采用了先进的制造工艺，具有高度集成性和稳定性，能够在-40°C至+85°C的工业级温度范围内可靠运行，适应各种严苛的工作环境。
此外，该器件采用100-ball BGA封装，尺寸紧凑，便于在高密度PCB设计中使用，同时优化了热管理和信号完整性，减少了信号干扰和功耗。
最后，H9TP26ABLDMCNR 支持多种低功耗模式，包括深度掉电模式和预充电掉电模式，进一步优化了移动设备的能效表现。
H9TP26ABLDMCNR 主要应用于对性能和功耗有严格要求的便携式电子产品。其高带宽和低功耗特性使其成为智能手机、平板电脑、可穿戴设备和移动计算平台的理想选择。此外，该芯片也可用于嵌入式系统、工业控制设备、汽车信息娱乐系统（IVI）和高级驾驶辅助系统（ADAS），以满足复杂应用对内存性能的高要求。其紧凑的封装形式也使其适用于空间受限的电路板设计。
H9TP26ABUMCMC-1074, H9TP26ACPMCMC, H9TP27ACPMCMC
