时间：2025/9/2 8:02:07
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H9TKNNNBPDMRAR-NGM 是一款由Hynix（海力士）公司生产的高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该型号属于LPDDR4（低功耗双倍数据速率第四代）系列，专为移动设备和高性能计算应用设计。LPDDR4内存以其高速度、低功耗和小体积的特点广泛应用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统以及高性能计算设备中。H9TKNNNBPDMRAR-NGM 是一款多芯片封装（MCP）产品，内部集成了多个DRAM芯片，提供更高的存储密度。
容量：4GB（x2）
数据速率：4266 Mbps
电压：1.1V
封装类型：FBGA
引脚数：153
工作温度范围：-40°C至85°C
封装尺寸：10mm x 10mm
内存类型：LPDDR4 SDRAM
数据总线宽度：32位
时钟频率：2133 MHz
H9TKNNNBPDMRAR-NGM 作为一款LPDDR4 MCP DRAM芯片，具有多项先进的技术特性。
首先，其低电压设计（1.1V）显著降低了功耗，延长了移动设备的电池续航时间。同时，该芯片支持多种低功耗模式，包括自刷新模式、深度掉电模式等，进一步优化系统能效。
其次，该芯片具备高达4266 Mbps的数据传输速率，支持双倍数据速率（DDR）技术，能够在每个时钟周期的上升沿和下降沿传输数据，从而显著提升数据吞吐能力。其2133 MHz的时钟频率配合32位数据总线宽度，使得理论带宽达到约13.6 GB/s，满足高性能计算和图形处理的需求。
此外，H9TKNNNBPDMRAR-NGM 采用先进的封装技术，将多个DRAM芯片集成在一个封装内，从而在有限的空间内实现更高的存储密度。其10mm x 10mm的小尺寸封装非常适合空间受限的移动设备应用。
最后，该芯片支持自动刷新、温度补偿自刷新（TCSR）等先进功能，确保数据在高温环境下依然稳定可靠。其工作温度范围为-40°C至85°C，适用于各种严苛的环境条件。
H9TKNNNBPDMRAR-NGM 主要应用于高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备、嵌入式系统以及车载信息娱乐系统等需要高性能、低功耗内存的领域。其高带宽和低延迟特性使其非常适合用于运行复杂操作系统、多任务处理、高清视频播放和高性能图形渲染的应用场景。此外，该芯片也可用于物联网（IoT）设备、人工智能边缘计算设备以及工业控制系统等对存储性能有较高要求的设备中。
H9HKNNNCSMDM-NEC, H9HPNNL8JAMR-NEC, H9HQNNNCTMMR-NGM
