时间：2025/9/3 18:26:22
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H9TKNNNBPDARAR-NGH 是一款由SK Hynix（海力士）生产的高性能、低功耗的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，主要用于高端移动设备、智能手机和平板电脑等对内存性能要求较高的应用场合。该芯片采用先进的封装技术，支持高密度存储，并具备良好的功耗管理特性，以适应便携式设备对续航能力的需求。
容量：8GB
类型：LPDDR5 SDRAM
电压：1.05V（VDD）/ 1.05V（VDDQ）/ 1.8V（VPP）
数据速率：6400Mbps
封装类型：FBGA
引脚数：186-Pin
工作温度：-40°C 至 +85°C
组织结构：x16
H9TKNNNBPDARAR-NGH 芯片的核心优势在于其采用了第五代低功耗双倍数据速率（LPDDR5）技术，这使得它在数据传输速率和能效方面相较前代产品有显著提升。其6400Mbps的数据速率可以满足高带宽需求的应用，例如高清视频播放、大型游戏和多任务处理。此外，该芯片具备动态电压和频率调节功能，能够在不同工作负载下自动调整功耗，从而延长设备的电池寿命。
该芯片的封装采用了先进的186引脚FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）技术，有助于减小芯片尺寸并提高集成度，非常适合空间受限的移动设备设计。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于大多数消费类电子设备的运行环境。
H9TKNNNBPDARAR-NGH 还具备强大的错误校正和数据完整性保护机制，确保在高负载或复杂电磁环境下数据传输的稳定性。此外，该DRAM芯片支持多种节能模式，包括深度掉电模式（Deep Power Down Mode）和自刷新模式（Self-Refresh Mode），以进一步降低功耗。
H9TKNNNBPDARAR-NGH 主要应用于高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及需要高性能内存支持的嵌入式系统。例如，它被广泛集成在搭载高性能SoC（如高通骁龙系列、三星Exynos系列、苹果A/M系列芯片）的旗舰级移动设备中，以提供流畅的多任务处理能力和高效的图形渲染性能。此外，该芯片也可用于需要快速数据处理能力的AI边缘计算设备和高性能计算模块（HPCM）中。
在游戏设备方面，H9TKNNNBPDARAR-NGH 可以显著提升游戏加载速度和图形渲染效率，从而带来更流畅的游戏体验。在多媒体应用中，该芯片能够支持4K甚至8K视频的流畅播放和编辑。在物联网（IoT）设备中，其低功耗特性有助于延长设备的续航时间，同时保持较高的处理能力。
H9HKNNNCAWARX-NEC, H9TPNNNJADUMR-NGH, H9TQNNNCTAMUB-NGH
