BUK7Y12-100E 时间：2025/12/23 14:35:05 阅读：75

BUK7Y12-100E 是一款由安森美（ON Semiconductor）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于各种高效率开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用领域。
　　该芯片的封装形式为TO-263（D2PAK），支持表面贴装，能够提供高效的散热性能和强大的电流处理能力。

参数

最大漏源电压：100V
　　连续漏极电流：28A
　　导通电阻：9mΩ
　　栅极电荷：45nC
　　开关时间：典型值 t_on=22ns, t_off=42ns
　　工作结温范围：-55℃ 至 +175℃

特性

BUK7Y12-100E 具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗，提高整体系统效率。
　　2. 高速开关能力，可有效良好的热稳定性，确保在高温环境下依然能可靠运行。
　　4. 小尺寸表面贴装封装，节省PCB空间并简化设计布局。
　　5. 支持大电流操作，适用于要求高功率密度的应用场景。
　　6. 符合RoHS标准，环保且满足现代电子产品的合规性需求。

应用

BUK7Y12-100E 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
　　2. DC-DC转换器，包括降压、升压及正负转换拓扑。
　　3. 电机驱动电路，用于控制直流无刷电机或步进电机。
　　4. 电池管理系统中的负载开关或保护电路。
　　5. 工业自动化设备中的功率级控制。
　　6. LED驱动器，用于高亮度LED照明系统的功率调节。