容量：8GB
　　类型：HBM2E SDRAM
　　数据速率：3.6Gbps
　　电压：1.3V / 1.8V
　　封装类型：FCBGA
　　引脚数：1024
　　带宽：约91.2GB/s
　　工作温度：0°C至+85°C
　　尺寸：7.5mm x 7.5mm

H9TKNNNBLDMPLR-NGM 是一款高性能、低功耗的HBM2E存储器芯片，采用了先进的堆叠封装技术，使其在极小的物理空间内实现高容量和极高的带宽。该芯片由多个DRAM裸片垂直堆叠，并通过硅通孔（TSV）技术实现内部连接，从而大幅减少信号路径长度，提高数据传输效率。HBM2E标准相较于前代HBM2在带宽和容量上都有显著提升，最高数据速率可达3.6Gbps，适用于需要大量并行计算和数据吞吐的应用场景。
　　该芯片支持多种低功耗模式，包括自刷新模式（Self-Refresh）、深度掉电模式（Deep Power Down）等，能够在不牺牲性能的前提下有效降低系统功耗。此外，H9TKNNNBLDMPLR-NGM 采用1.3V核心电压和1.8V I/O电压，进一步优化了能效表现。
　　其封装形式为1024引脚的倒装芯片球栅阵列（FCBGA），尺寸仅为7.5mm x 7.5mm，非常适合用于空间受限但需要高性能内存的系统设计。该芯片还具备出色的热管理和电气稳定性，能够在高温环境下稳定运行，工作温度范围为0°C至85°C。
　　为了提高系统的可靠性和可维护性，H9TKNNNBLDMPLR-NGM 还支持错误校正码（ECC）功能，可检测和纠正内存中的单比特错误，提升系统的数据完整性和稳定性。

H9TKNNNBLDMPLR-NGM 主要应用于需要高带宽和高容量内存的高性能计算系统，如AI加速器、GPU、数据中心服务器、高端游戏显卡、网络交换设备、FPGA加速卡、自动驾驶计算平台以及科学计算设备等。其高带宽特性使其特别适用于深度学习训练、大规模并行计算、实时数据分析等对内存性能要求极高的场景。此外，该芯片也可用于高端图形处理和虚拟现实（VR）系统，以满足对图像质量和帧率的严苛要求。

H9TNNNN8GBMMLR-N2C
　　H5AN8G8N20A008N