容量：8GB
　　封装类型：TSOP
　　接口类型：ONFI 2.3
　　工作电压：2.7V - 3.6V
　　读取速度：最高50MB/s
　　写入速度：最高20MB/s
　　擦除速度：最高3ms
　　工作温度范围：-40°C至+85°C

H9TKNNN8KDMPQR-NGH 是一款高性能的NAND Flash存储器芯片，具备8GB的存储容量，适用于需要大容量数据存储的应用场景。该芯片采用TSOP封装形式，具有较高的稳定性和可靠性。其ONFI 2.3接口标准确保了与主控芯片之间的高速数据传输，并支持多种错误校正和坏块管理功能，以提高数据完整性和使用寿命。
　　该芯片的工作电压范围为2.7V至3.6V，使其能够在多种电源条件下稳定运行，适用于不同的硬件设计。其读取速度最高可达50MB/s，写入速度最高为20MB/s，能够满足大多数嵌入式系统和存储设备的需求。此外，芯片支持快速的擦除操作，擦除时间仅为3ms，有助于提高整体存储性能。
　　在环境适应性方面，H9TKNNN8KDMPQR-NGH 能够在-40°C至+85°C的宽温度范围内工作，适用于工业级和高可靠性应用场景。这使得该芯片不仅适用于消费类电子产品，也能在工业控制、通信设备和车载系统中可靠运行。

H9TKNNN8KDMPQR-NGH 主要用于固态硬盘（SSD）和嵌入式存储设备中，作为系统级存储或数据缓存。该芯片也广泛应用于数字电视、机顶盒、网络设备、工业控制系统以及车载信息娱乐系统等需要高可靠性和大容量存储的设备中。此外，该芯片还可用于便携式电子产品，如平板电脑、智能本和高端智能手机。

H9TPNNN8KDMCSR-KR, H9TNNN8KDMUMR-NGH