时间：2025/9/1 15:22:43
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H9TKNNN8KDAR 是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的高密度、高性能的NAND闪存芯片。该芯片通常用于需要大容量数据存储和高速数据访问的应用场景，如固态硬盘（SSD）、嵌入式存储系统、智能手机、平板电脑以及工业控制设备。H9TKNNN8KDAR 的命名规则表明其具备特定的容量、接口类型以及封装形式。
容量：8GB
接口类型：ONFI 2.0
电压：1.8V / 3.3V
封装类型：TSOP
引脚数：52-pin
工作温度：0°C 至 +70°C
H9TKNNNN8KDAR NAND闪存芯片具备高容量和高速传输能力，适合对存储性能有较高要求的设备。其ONFI 2.0接口支持高达50MB/s的读取速度和30MB/s的写入速度，显著提升了数据传输效率。
该芯片采用TSOP封装形式，具有良好的电气性能和机械稳定性，适用于空间有限的电子设备。其双电压供电（1.8V/3.3V）设计使其能够兼容多种电源管理方案，提高了设计的灵活性。
此外，H9TKNNN8KDAR 支持ECC（错误校正码）功能，能够在数据读取过程中自动检测和纠正错误，确保数据的完整性和可靠性。其工作温度范围为0°C至+70°C，适用于大多数商业和工业应用场景。
这款NAND闪存芯片还具备较长的擦写寿命（P/E周期），支持多达10,000次擦写操作，延长了产品的使用寿命。同时，它还支持坏块管理，能够在出厂前或使用过程中识别和隔离坏块，提升存储系统的稳定性。
H9TKNNN8KDAR 常用于需要大容量存储和高速数据访问的电子产品中。典型应用包括固态硬盘（SSD）、智能手机、平板电脑、嵌入式系统、工业计算机、车载信息娱乐系统（IVI）以及消费类电子产品中的存储模块。其可靠的性能和广泛的兼容性使其成为多种存储解决方案的理想选择。
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