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H9TKNNN8JDAPLRNGH 发布时间 时间:2025/9/3 17:51:52 查看 阅读:5

H9TKNNN8JDAPLRNGH 是由SK Hynix(海力士)生产的一款高密度、高性能的NAND闪存芯片。这款芯片采用了先进的制造工艺,具备高存储容量和较低的功耗,广泛应用于智能手机、平板电脑、固态硬盘(SSD)以及其他需要大容量存储的电子设备中。H9TKNNN8JDAPLRNGH 是一款多层单元(MLC)或三层单元(TLC)类型的NAND闪存芯片,具备较高的读写速度和较长的使用寿命。

参数

容量:8GB / 16GB / 32GB(具体容量取决于产品版本)
  封装类型:BGA(球栅阵列封装)
  接口类型:ONFI(Open NAND Flash Interface)
  电压范围:2.7V - 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  读取速度:最高可达 50MB/s
  写入速度:最高可达 30MB/s
  擦除速度:块擦除时间约 2ms
  存储单元类型:TLC(Triple-Level Cell)或MLC(Multi-Level Cell)
  数据保持时间:10年(典型值)
  擦写寿命:3000 - 10000 次/块(根据存储单元类型)

特性

H9TKNNN8JDAPLRNGH 采用先进的NAND闪存技术,具备出色的读写性能和稳定性。其主要特性包括:
  1. 高存储密度:该芯片提供高达32GB的存储容量,适用于需要大容量存储的嵌入式设备和移动设备。
  2. 低功耗设计:支持多种低功耗模式,有助于延长电池供电设备的使用时间。
  3. 高可靠性:具备较长的数据保持时间和较高的擦写次数,适用于要求高稳定性的应用场景。
  4. 快速访问速度:支持高速读写操作,满足高性能存储需求。
  5. 宽工作温度范围:适用于工业级和消费级应用环境。
  6. 高集成度封装:BGA封装形式提供良好的电气性能和机械稳定性,便于PCB布局和安装。
  7. 支持ECC(错误校正码)功能:内部集成ECC功能,提升数据完整性和可靠性。
  8. ONFI兼容接口:支持标准的ONFI接口协议,便于与主控芯片连接和兼容。

应用

H9TKNNN8JDAPLRNGH 适用于多种电子设备和系统,主要包括:
  1. 智能手机和平板电脑:作为主存储器,用于存储操作系统、应用程序和用户数据。
  2. 固态硬盘(SSD):作为存储介质,提供高速数据读写能力。
  3. 工业控制系统:用于数据存储和程序运行,满足工业设备对高可靠性和长寿命的需求。
  4. 汽车电子系统:如车载导航、信息娱乐系统等,支持高温环境下的稳定运行。
  5. 消费类电子产品:如数码相机、MP3播放器、智能穿戴设备等。
  6. 网络通信设备:用于存储固件和配置数据,支持网络设备的稳定运行。
  7. 医疗设备:用于存储关键数据和程序,满足医疗设备对高可靠性和长寿命的要求。

替代型号

H9TPNNL8GDACPRKGH, H9TNNN8VDACPRKGH

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