时间：2025/9/3 17:51:52
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H9TKNNN8JDAPLRNGH 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高密度、高性能的NAND闪存芯片。这款芯片采用了先进的制造工艺，具备高存储容量和较低的功耗，广泛应用于智能手机、平板电脑、固态硬盘（SSD）以及其他需要大容量存储的电子设备中。H9TKNNN8JDAPLRNGH 是一款多层单元（MLC）或三层单元（TLC）类型的NAND闪存芯片，具备较高的读写速度和较长的使用寿命。
容量：8GB / 16GB / 32GB（具体容量取决于产品版本）
封装类型：BGA（球栅阵列封装）
接口类型：ONFI（Open NAND Flash Interface）
电压范围：2.7V - 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
读取速度：最高可达 50MB/s
写入速度：最高可达 30MB/s
擦除速度：块擦除时间约 2ms
存储单元类型：TLC（Triple-Level Cell）或MLC（Multi-Level Cell）
数据保持时间：10年（典型值）
擦写寿命：3000 - 10000 次/块（根据存储单元类型）
H9TKNNN8JDAPLRNGH 采用先进的NAND闪存技术，具备出色的读写性能和稳定性。其主要特性包括：
1. 高存储密度：该芯片提供高达32GB的存储容量，适用于需要大容量存储的嵌入式设备和移动设备。
2. 低功耗设计：支持多种低功耗模式，有助于延长电池供电设备的使用时间。
3. 高可靠性：具备较长的数据保持时间和较高的擦写次数，适用于要求高稳定性的应用场景。
4. 快速访问速度：支持高速读写操作，满足高性能存储需求。
5. 宽工作温度范围：适用于工业级和消费级应用环境。
6. 高集成度封装：BGA封装形式提供良好的电气性能和机械稳定性，便于PCB布局和安装。
7. 支持ECC（错误校正码）功能：内部集成ECC功能，提升数据完整性和可靠性。
8. ONFI兼容接口：支持标准的ONFI接口协议，便于与主控芯片连接和兼容。
H9TKNNN8JDAPLRNGH 适用于多种电子设备和系统，主要包括：
1. 智能手机和平板电脑：作为主存储器，用于存储操作系统、应用程序和用户数据。
2. 固态硬盘（SSD）：作为存储介质，提供高速数据读写能力。
3. 工业控制系统：用于数据存储和程序运行，满足工业设备对高可靠性和长寿命的需求。
4. 汽车电子系统：如车载导航、信息娱乐系统等，支持高温环境下的稳定运行。
5. 消费类电子产品：如数码相机、MP3播放器、智能穿戴设备等。
6. 网络通信设备：用于存储固件和配置数据，支持网络设备的稳定运行。
7. 医疗设备：用于存储关键数据和程序，满足医疗设备对高可靠性和长寿命的要求。
H9TPNNL8GDACPRKGH, H9TNNN8VDACPRKGH
