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H9TKNNN8JDAPLR 发布时间 时间:2025/9/2 2:07:08 查看 阅读:9

H9TKNNN8JDAPLR是一款由SK Hynix生产的高密度、高性能的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款芯片专为高性能计算、服务器、网络设备和高端消费类电子产品设计,具有高容量、低功耗和高速数据传输的特点。

参数

容量:8GB
  类型:DRAM
  封装类型:BGA
  数据速率:2400Mbps
  电压:1.2V
  工作温度范围:0°C至85°C
  引脚数:128-pin

特性

H9TKNNN8JDAPLR采用了先进的1z纳米工艺技术,使其在性能和能效方面都表现出色。该芯片支持LPDDR4标准,具备高带宽和低延迟的特性,能够满足现代高性能计算和数据密集型应用的需求。此外,H9TKNNN8JDAPLR还具备出色的稳定性和可靠性,适合在苛刻的工业和服务器环境中使用。
  该芯片的封装尺寸紧凑,适合在空间受限的应用中使用。它还具备自刷新和深度自刷新功能,以进一步降低功耗。H9TKNNN8JDAPLR在数据传输方面采用差分时钟和数据选通技术,确保了高速数据传输的稳定性。此外,该芯片还支持多种电源管理模式,可根据系统需求动态调整功耗。

应用

H9TKNNN8JDAPLR广泛应用于服务器、高性能计算设备、网络交换机、存储设备、智能手机和高端平板电脑等需要大容量、高速内存的设备中。其高可靠性和低功耗特性也使其适用于工业控制、汽车电子和嵌入式系统等长期运行的场景。

替代型号

H9TKNNN8JDAVAR, H9TXNNN8JDCALR, H9TQNNN8JDDACR

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